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$5000TOSHIBA 1SS383(TE85L,F)
Type Silicon Epitaxial Schottky Barrier
Marken: Toshiba
Herstellerteil #: 1SS383(TE85L,F)
Datenblatt: 1SS383(TE85L,F) Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: USQ
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.414 Stück, Neues Original
Produktart: Diode Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,125 | $0,125 |
200 | $0,050 | $10,000 |
500 | $0,049 | $24,500 |
1000 | $0,048 | $48,000 |
Auf Lager: 9.414 Stck
1SS383(TE85L,F) Allgemeine Beschreibung
Engineered for high-speed switching applications, the 1SS383(TE85L,F) is a diode with a maximum reverse voltage of 100V and a forward current of 100mA. Its small, surface-mount package and hermetically sealed glass construction ensure robustness and reliability, even in harsh operating conditions. With its fast switching speed, low capacitance, and minimal leakage current, this diode is well-suited for high-frequency applications, where signal integrity and power efficiency are paramount. Its low forward voltage drop further enhances its energy conversion efficiency, making it an excellent choice for electronic circuits requiring optimal performance. The diode's wide temperature range of -55°C to 125°C expands its potential for various operating environments, offering flexibility and adaptability. Furthermore, its RoHS compliance reflects its adherence to environmental regulations, assuring users of its commitment to sustainable and responsible manufacturing practices
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | Toshiba | Product Category | Schottky Diodes & Rectifiers |
RoHS | Details | Product | Schottky Diodes |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-343-4 |
Configuration | Dual Parallel | Technology | Si |
If - Forward Current | 100 mA | Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 45 V |
Vf - Forward Voltage | 600 mV | Ifsm - Forward Surge Current | 1 A |
Ir - Reverse Current | 5 uA | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 100 C | Series | 1SS383 |
Brand | Toshiba | Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Product Type | Schottky Diodes & Rectifiers | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | Diodes & Rectifiers | Unit Weight | 0.000212 oz |
Product Status | Active | Diode Configuration | 2 Independent |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40 V | Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 100 mA | Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 40 V | Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | USQ |
Base Product Number | 1SS383 |
Versand
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