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Infineon AIKW50N65RF5

Best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. Therefore, Infineon has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC and DC-AC.The combination of a best-in-class fast-switching IGBT with a very reliable SiC Diode builds a perfect cost-performance trade-off for hard-switching topologies. Due to the Qrr-free unipolar CoolSiC™ Schottky Diode, the Eon of the IGBT will be reduced significantly over silicon-only solutions. This makes the hybrid the first-choice for system-cost-sensitive hard commutation applications, such as Totem Pole topology in Automotive On-Board Charger applications. This results in better margin for low-complexity design-in activities.

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: AIKW50N65RF5

Datenblatt: AIKW50N65RF5 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO247

Produktart: Single Diodes

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.613 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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AIKW50N65RF5 Allgemeine Beschreibung

Best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. Therefore, Infineon has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC and DC-AC.The combination of a best-in-class fast-switching IGBT with a very reliable SiC Diode builds a perfect cost-performance trade-off for hard-switching topologies. Due to the Qrr-free unipolar CoolSiC™ Schottky Diode, the Eon of the IGBT will be reduced significantly over silicon-only solutions. This makes the hybrid the first-choice for system-cost-sensitive hard commutation applications, such as Totem Pole topology in Automotive On-Board Charger applications. This results in better margin for low-complexity design-in activities.

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Technology IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5 IC max 46.0 A
IF max 40.0 A IFpuls max 100.0 A
ICpuls max 150.0 A

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

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  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The AIKW50N65RF5 is a power semiconductor chip designed for high-power applications, such as motor control and power conversion. It features a voltage rating of 650V and a current rating of 50A, making it ideal for use in industrial and automotive environments. The chip also offers low on-state resistance and high-speed switching capabilities, making it efficient and reliable for demanding applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of AIKW50N65RF5 chip include Infineon's FF150R12RT4, FF150R65RF5, and FF1400R12IE4. These chips have similar specifications and are suitable replacements for the AIKW50N65RF5 chip in various applications.
  • Features

    - Silicon Carbide MOSFET with Low On-Resistance - High Blocking Voltage of 650V - Fast Switching and High Temperature Stability - Low Gate Charge and Low Input Capacitance - Enhanced RDS(on) Performance for Efficiency - Suitable for various power electronic applications due to robust construction and reliable performance.
  • Pinout

    AIKW50N65RF5 is a MOSFET transistor with a TO-247 package, which typically has 3 pins. The functions of the pins are Gate, Drain, and Source. This transistor is a high power N-channel device capable of handling up to 50A of current and 650V of voltage.
  • Manufacturer

    The manufacturer of AIKW50N65RF5 is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies AG is a German multinational corporation that manufactures semiconductors and other electronic components. The company is known for producing a wide range of products for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    AIKW50N65RF5 is a silicon carbide power MOSFET suitable for applications in renewable energy, electric vehicle charging, and industrial power supplies. It is designed for high-power and high-efficiency applications, offering low on-state resistance and high temperature operation.
  • Package

    The AIKW50N65RF5 chip comes in a TO-247 package type with a form of Through-Hole and a size of 10.29 mm x 19.41mm.

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