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DIODES BSS123Q-13
High-reliability SOT- MOSFETs for demanding application
Marken: DIODES
Herstellerteil #: BSS123Q-13
Datenblatt: BSS123Q-13 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.930 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 10 | $0,058 | $0,580 |
| 100 | $0,048 | $4,800 |
| 300 | $0,043 | $12,900 |
| 1000 | $0,037 | $37,000 |
| 5000 | $0,034 | $170,000 |
| 10000 | $0,032 | $320,000 |
Auf Lager: 6.930 Stck
BSS123Q-13 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grade | Automotive | Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSS123Q-13 is a small signal N-channel MOSFET transistor designed for low power applications. It has a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 230mA. This chip is commonly used in switching, amplification, and logic level applications due to its low on-resistance and fast switching speeds.
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Equivalent
The equivalent products of the BSS123Q-13 chip are the BSS123L, BSS123LT1, and BSS123P chips. These chips are all small signal N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics to the BSS123Q-13. -
Features
BSS123Q-13 is a N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V, continuous drain current of 170mA, and low threshold voltage of 1V. It is designed for use in power management applications and provides high switching speed and low on-resistance. -
Pinout
BSS123Q-13 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. The function of BSS123Q-13 is to control the flow of current between the Drain and Source pins using a voltage applied to the Gate pin. -
Manufacturer
The manufacturer of BSS123Q-13 is Nexperia. Nexperia is a semiconductor company that designs and produces a wide range of discrete components, logic, analog, and MOSFET devices. They specialize in providing solutions for automotive, industrial, computing, consumer electronics, and mobile devices. -
Application Field
BSS123Q-13 can be used in various applications such as low-voltage switching for portable devices, power management in battery-powered systems, and load switching in mobile phones and tablets. It is also suitable for use in general-purpose low-power switching applications and low-side load switching in motor control circuits. -
Package
The BSS123Q-13 chip is supplied in a Surface Mount Device (SMD) package, specifically in a SOT-323 form. The package size is typically 2mm x 1.25mm x 1mm.
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