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NXP BUK6Y24-40P

40 V, P-channel Trench MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: NXP Semiconductor

Herstellerteil #: BUK6Y24-40P

Datenblatt: BUK6Y24-40P Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT669

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.145 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BUK6Y24-40P Allgemeine Beschreibung

P-channel enhancement mode MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high-performance automotive applications such as reverse battery protection.

Funktionen

  • High thermal power dissipation capability
  • Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
  • Trench MOSFET technology
  • AEC-Q101 qualified

Anwendung

  • Reverse battery protection
  • Power management
  • High-side load switch
  • Motor drive

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Type number BUK6Y24-40P Package version SOT669
Package name LFPAK56; Power-SO8 Product status Production
Channel type P Nr of transistors 1
VDS [max] (V) -40 RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ) 24
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ) 50 Tj [max] (°C) 175
QGD [typ] (nC) 5 QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC) 23
Ptot [max] (W) 66 Qr [typ] (nC) 18
VGSth [typ] (V) -2 Automotive qualified Y
Ciss [typ] (pF) 1250 Coss [typ] (pF) 184
Date 2020-04-09

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    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

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    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BUK6Y24-40P chip is a power mosfet transistor designed for use in a wide range of applications, including power management and switching circuits. it features a low on-state resistance, high current handling capability, and is housed in a small surface-mount package. the chip provides efficient power control and is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronic devices.
  • Features

    The features of BUK6Y24-40P include a maximum drain current of 40a, low on-state resistance, high current capabilities, and a positive temperature coefficient. it also has a compact and industry-standard to-220ab package with improved thermal characteristics, making it suitable for a wide range of applications in power management and motor control systems.
  • Pinout

    The BUK6Y24-40P is a power mosfet with a to-220 package. it has three pins: gate (g), drain (d), and source (s). the gate pin is used to control the switching operation, while the drain and source pins are responsible for current flow.
  • Application Field

    The BUK6Y24-40P is a power mosfet transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, and automotive electronics. it is suitable for high current and voltage applications due to its low on-resistance and high temperature capabilities.
  • Package

    The package type of the buc6y24-40p chip is to-220fp, its form is through-hole, and the size is 10.92mm x 16.66mm.
BUK9880-55A/CU

BUK9880-55A/CU

NXP Semiconductor

FDBL9403

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NXP Semiconductor

PSMN4R0-40YS115

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NXP Semiconductor

FDPF20N50F

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