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CM150DY-12NF
CM150DY-12NF, an IGBT Module with N-type channel, engineered to operate at 600 volts and 150 amperes, with a power dissipation of 590,000 milliwatts
Marken: Mitsubishi Electric
Herstellerteil #: CM150DY-12NF
Datenblatt: CM150DY-12NF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: Module
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2218 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMCM150DY-12NF Allgemeine Beschreibung
The CM150DY-12NF is a high power insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in power electronics applications. It is manufactured by Mitsubishi Electric and features a high voltage rating of 1200V and a current rating of 150A. The module has a compact and lightweight design, making it ideal for applications where space is limited.The CM150DY-12NF is designed for use in inverter and converter systems, motor control, and other high power applications. It features low loss and low on-state voltage drop, resulting in high efficiency and reduced power dissipation. The module also has a built-in temperature sensor and overcurrent protection for added reliability.The CM150DY-12NF is built with a high-quality insulated package that ensures reliable electrical insulation and thermal performance. It is designed to operate at high temperatures up to 150°C, making it suitable for harsh environments. The module has a screw terminal connection for easy installation and maintenance.
Funktionen
- Manufacturer: Mitsubishi
- Model number: CM150DY-12NF
- Module type: IGBT
- Voltage: 1200V
- Current: 150A
- Package: Module
- Features: High power density, low loss, high speed switching
Anwendung
- Industrial motor drives
- Power supplies
- Wind energy systems
- Solar inverters
- Electric vehicles
- UPS systems
- Rail traction systems
- Induction heating equipment
- Welding equipment
- Battery management systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Dual |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 150 A | Gate-Emitter Leakage Current | 500 nA |
| Pd - Power Dissipation | 590 W | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | Mitsubishi Electric |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | Mounting Style | Screw Mount |
| Product Type | IGBT Modules | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | IGBTs |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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