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$5000DIODES DMN26D0UFB4
MOSFET
Marken: DIODES
Herstellerteil #: DMN26D0UFB4
Datenblatt: DMN26D0UFB4 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOD523
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.330 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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DMN26D0UFB4 Allgemeine Beschreibung
DescriptionThis new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.Features and Benefits• N-Channel MOSFET• Low On-Resistance• Very Low Gate Threshold Voltage• Low Input Capacitance• Fast Switching Speed• Low Input/Output Leakage• Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package Height• ESD Protected Gate• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• For automotive applications requiring specific change control (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities), please refer to the related automotive grade (Q-suffix) part. A listing can be found at https://www.diodes.com/products/automotive/automotive-products/.• This part is qualified to JEDEC standards (as references in AEC-Q) for High Reliability. https://www.diodes.com/quality/product-definitions/Applications• DC-DC Converters• Power Management Functions
Funktionen
- N-Channel MOSFET
- Low On-Resistance
- Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package
- Height
- ESD Protected Gate
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | Diodes Incorporated |
| Series | - | Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14.1 pF @ 15 V |
| FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 | Package / Case | 3-XFDFN |
| Base Product Number | DMN26 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The DMN26D0UFB4 is a high-speed, low-power dual N-channel MOSFET chip, designed for use in power management applications. It features a compact size, high efficiency, and superior performance, making it ideal for use in portable electronics, LED lighting, and other power-sensitive devices.
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Equivalent
The equivalent products of the DMN26D0UFB4 chip include the DMN26D0LFB4, DMN26D0SFB4, and DMN26D0QFB4 chips. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable replacements for the DMN26D0UFB4 chip in various electronic devices. -
Features
DMN26D0UFB4 is a high-performance N-channel MOSFET with ultra-low on-resistance of 2.6mΩ and a maximum drain-source voltage of 30V. It is suitable for applications requiring high power efficiency in a compact package, such as power converters, motor control, and consumer electronics. -
Pinout
DMN26D0UFB4 is a 26-pin dual-row connector with a pitch of 0.8mm. It is commonly used for connecting power and data signals in electronic devices, such as smartphones and laptops. The pins provide functions for power delivery, data transfer, and communication between different components. -
Manufacturer
The manufacturer of DMN26D0UFB4 is Infineon Technologies. It is a German multinational corporation that designs and manufactures semiconductors and system solutions. Infineon Technologies operates in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics, providing a wide range of semiconductor products for different applications. -
Application Field
- Industrial automation - Robotics - Motion control - Factory automation - Power monitoring - Renewable energy - HVAC systems - Lighting control - Building automation - Smart grid applications -
Package
The DMN26D0UFB4 chip is in a surface mount package type, specifically a Power-SSO-12 form. It has dimensions of 6.6mm x 5.8mm x 1.9mm (L x W x H).
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