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$5000FDN337N
N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDN337N
Datenblatt: FDN337N Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SSOT-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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5 | $0,216 | $1,080 |
50 | $0,171 | $8,550 |
150 | $0,153 | $22,950 |
500 | $0,129 | $64,500 |
3000 | $0,119 | $357,000 |
6000 | $0,113 | $678,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
FDN337N Allgemeine Beschreibung
Product FDN337N is a cutting-edge SuperSOT™-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistor designed for low voltage applications. Utilizing a proprietary, high cell density DMOS technology, this transistor offers minimal on-state resistance, making it perfect for use in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery-powered circuits requiring fast switching and low power loss. Its small outline surface mount package ensures space-saving solutions without compromising performance
Funktionen
- 2.2 A, 30 V
RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 0.082 Ω @ VGS = 2.5 V. - Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.
- High density cell design for extremely low RDS(ON).
- Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SSOT-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 2.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
Qg - Gate Charge | 9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Channel Mode | Enhancement | Series | FDN337N |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 10 ns | Forward Transconductance - Min | 13 S |
Height | 1.12 mm | Length | 2.9 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | FET | Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 4 ns | Width | 1.4 mm |
Part # Aliases | FDN337N_NL |
Versand
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDN337N is a power MOSFET chip manufactured by Fairchild Semiconductor. It is designed for low voltage applications and has a high drain current capability. The chip offers a compact size and low on-resistance, making it suitable for use in power management and switching applications.
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Equivalent
Equivalent products of the FDN337N chip include the FDN338P, FDS9933A, FDN349AN, and FDD6695. -
Features
The FDN337N is a power MOSFET transistor designed for high-performance switching applications. It features a low on-resistance for reduced power dissipation, a small form factor package for space-constrained designs, and a high continuous drain current capability. Additionally, this transistor has a low gate charge for efficient switching and a low threshold voltage for enhanced control. -
Pinout
The FDN337N is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 3. Its pins include the Source (S), Gate (G), and Drain (D). The function of this transistor is to control the flow of current between two circuits when a voltage is applied to the gate pin. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDN337N is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a semiconductor company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power and signal management, logic, discrete, and custom semiconductor solutions. -
Application Field
The FDN337N is a power MOSFET used in a variety of applications, including battery powered systems, portable devices, and general purpose switching systems. It can be used as a load switch, power management switch, or in DC-DC converter circuits. The low RDS(on) and small package size make it suitable for space-constrained applications. -
Package
The FDN337N chip is offered in a SOT23 package type. It is a transistor with a dual MOSFET form and has a size of around 2.9mm x 1.3mm x 1mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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