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$5000GAP3SLT33-214
3300V 0.3A DO-214 SiC Schottky MPS™
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Marken: GeneSiC Semiconductor
Herstellerteil #: GAP3SLT33-214
Datenblatt: GAP3SLT33-214 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DO-214AA,SMB
Produktart: Single Diodes
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.762 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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GAP3SLT33-214 Allgemeine Beschreibung
The GAP3SLT33-214 is a high-performance Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode designed for demanding applications requiring efficient and reliable power electronics. With a Repetitive Reverse Voltage (VRRM) of 3300V and a Forward Current (IF) of 0.3A, this diode offers exceptional performance in a compact DO-214 package suitable for surface mount applications. The diode has a low Forward Voltage (VF) of 1.7V at 0.3A, ensuring minimal power loss during operation
Funktionen
- High Avalanche (UIS) Capability
- Enhanced Surge Current Capability
- Superior Figure of Merit QC/IF
- Low Thermal Resistance
- 175 °C Maximum Operating Temperature
- Temperature Independent Switching Behavior
- Positive Temperature Coefficient of VF
- Extremely Fast Switching Speeds
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | SiC Schottky MPS™ | Product Status | Active |
Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300 V |
Current - Average Rectified (Io) | 300mA | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2 V @ 300 mA |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 3300 V |
Capacitance @ Vr, F | 42pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | DO-214AA, SMB | Supplier Device Package | DO-214AA |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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