Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

TOSHIBA GT30J322

IGBT Transistors 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Toshiba

Herstellerteil #: GT30J322

Datenblatt: GT30J322 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-3P(N)IS-3

Produktart: IGBT Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für GT30J322 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

Funktionen

Toshiba Inventory

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category IGBT Transistors Technology Si
Package / Case TO-3P(N)IS-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Maximum Operating Temperature + 150 C
Series GT30J322 Brand Toshiba
Continuous Collector Current Ic Max 30 A Height 21 mm
Length 15.8 mm Product Type IGBT Transistors
Subcategory IGBTs

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The GT30J322 chip is a high-speed, high-voltage power transistor designed for power amplification. It utilizes advanced MOSFET technology, allowing for efficient operation at high frequencies. This chip is commonly used in audio amplifiers and other high-power applications, providing high voltage capability and low distortion.
  • Equivalent

    The equivalent products of the GT30J322 chip include INSX30J322, 2SJ322, QJ8050J322, and NTE2397. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the GT30J322.
  • Features

    The GT30J322 is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that offers high-current capability, low on-resistance, and a fast switching speed. It is specifically designed for high-frequency power amplifier applications, making it suitable for use in audio amplifiers, communication equipment, and other high-power electronic devices.
  • Pinout

    The GT30J322 is a 600V insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a TO-220 package. It has a pin count of 3. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is the emitter, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the gate.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the GT30J322 is Toshiba Corporation. Toshiba is a multinational conglomerate company based in Japan. It specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, home appliances, information technology, and more.
  • Application Field

    The GT30J322 is a power MOSFET transistor with high voltage capability and low switching losses. It can be used in various applications, including power supplies, motor control, audio amplifiers, and electronic ballasts.
  • Package

    The GT30J322 chip is an N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. It is available in a 7 pin Mini Mold type package. The dimensions of the package are typically around 23.3mm x 42.1mm x 4.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen