TOSHIBA GT30J322
IGBT Transistors 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
Marken: Toshiba
Herstellerteil #: GT30J322
Datenblatt: GT30J322 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3P(N)IS-3
Produktart: IGBT Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFunktionen
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Package / Case | TO-3P(N)IS-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | GT30J322 | Brand | Toshiba |
Continuous Collector Current Ic Max | 30 A | Height | 21 mm |
Length | 15.8 mm | Product Type | IGBT Transistors |
Subcategory | IGBTs |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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Zahlung
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The GT30J322 chip is a high-speed, high-voltage power transistor designed for power amplification. It utilizes advanced MOSFET technology, allowing for efficient operation at high frequencies. This chip is commonly used in audio amplifiers and other high-power applications, providing high voltage capability and low distortion.
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Equivalent
The equivalent products of the GT30J322 chip include INSX30J322, 2SJ322, QJ8050J322, and NTE2397. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the GT30J322. -
Features
The GT30J322 is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that offers high-current capability, low on-resistance, and a fast switching speed. It is specifically designed for high-frequency power amplifier applications, making it suitable for use in audio amplifiers, communication equipment, and other high-power electronic devices. -
Pinout
The GT30J322 is a 600V insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a TO-220 package. It has a pin count of 3. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is the emitter, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the gate. -
Manufacturer
The manufacturer of the GT30J322 is Toshiba Corporation. Toshiba is a multinational conglomerate company based in Japan. It specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, home appliances, information technology, and more. -
Application Field
The GT30J322 is a power MOSFET transistor with high voltage capability and low switching losses. It can be used in various applications, including power supplies, motor control, audio amplifiers, and electronic ballasts. -
Package
The GT30J322 chip is an N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. It is available in a 7 pin Mini Mold type package. The dimensions of the package are typically around 23.3mm x 42.1mm x 4.5mm.
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