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ADI HMC435AMS8GE

SPDT Non-Reflective Switch, DC - 4 GHz

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Analog Devices

Herstellerteil #: HMC435AMS8GE

Datenblatt: HMC435AMS8GE Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: HRH-8-1

Produktart: RF Switches

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.411 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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HMC435AMS8GE Allgemeine Beschreibung

The HMC435AMS8G(E) is a highly efficient GaAs MESFET SPDT switch designed for a wide range of applications, from cellular/3G to WiMAX/4G. With an impressive 60 dB isolation and low 0.8 dB insertion loss, this switch delivers superior performance. Additionally, it boasts a +50 dBm input IP3, making it suitable for demanding environments. The switch's power handling capabilities make it ideal for use in the 3.8 GHz WiMAX band, with a P1dB compression of +30 dBm. Its on-chip circuitry allows for precise voltage control with very low DC currents

hmc435ams8ge

Funktionen

  • High Isolation:
    • 62 dB @ 1 GHz
    • 52 dB @ 2 GHz
  • Single Positive Control: 0/+5V
hmc435ams8ge

Anwendung

  • Energy Distribution
  • Remote Monitoring
  • Aviation Technology

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category RF Switch ICs RoHS Details
Switch Configuration SPDT Minimum Frequency 0 Hz
Maximum Frequency 4 GHz Insertion Loss 1.2 dB
Off Isolation - Typ 40 dB Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 85 C Mounting Style SMD/SMT
Technology GaAs Series HMC435A
Brand Analog Devices High Control Voltage 5 V
Moisture Sensitive Yes Number of Switches Dual
Pd - Power Dissipation 860 mW Product Type RF Switch ICs
Factory Pack Quantity 500 Subcategory Wireless & RF Integrated Circuits
Unit Weight 0.004938 oz

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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Barcode-Versandetikett

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Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The HMC435AMS8GE is a GaAs MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) absorptive single-pole, 4-throw (SP4T) switch in a compact surface-mount package. It operates from DC to 18 GHz with low insertion loss and high isolation to support a variety of RF and microwave applications. This chip provides excellent performance and reliability in communications, radar, and test and measurement systems.
  • Equivalent

    An equivalent product of the HMC435AMS8GE chip is the HMC342AMS8GE chip, which is also a SPDT switch with similar features and performance characteristics.
  • Features

    1. Broadband operation from DC to 30 GHz 2. Low noise figure of 1.1 dB 3. High gain of 22 dB 4. High linearity with input third order intercept of 40 dBm 5. Low power consumption of 63 mA 6. Adjustable bias current for flexible performance tuning
  • Pinout

    The HMC435AMS8GE is a GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER designed for use in wireless infrastructure and radar systems with an operating frequency range of 2.2 to 2.8 GHz. It comes in an 8-lead MSOP package with a pin count of 8. The pin functions include Vcc, Ground, RF In, RF Out, Enable, and DC Bias.
  • Manufacturer

    The HMC435AMS8GE is manufactured by Analog Devices Inc., which is a multinational semiconductor company specializing in data conversion and signal processing technology. Analog Devices designs and manufactures a wide range of integrated circuits used in various applications such as industrial, automotive, communications, and consumer electronics.
  • Application Field

    The HMC435AMS8GE is commonly used in applications such as satellite communication systems, microwave point-to-point radios, radar systems, test and measurement equipment, and aerospace and defense applications. Its high linearity, low noise figure, and wide frequency range make it suitable for a wide range of RF and microwave applications.
  • Package

    The HMC435AMS8GE chip is a surface mount package type with an MSOP-8 form factor. The size of the chip is 3mm x 3mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation HMC435AMS8GE PDF Herunterladen

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