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$5000TOSHIBA HN4B102J
Bipolar Transistors with BJT Technology
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Marken: Toshiba
Herstellerteil #: HN4B102J
Datenblatt: HN4B102J Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-25-5
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.981 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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HN4B102J Allgemeine Beschreibung
MOS Gate Drive ApplicationsSwitching Applications• Small footprint due to a small and thin package• High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC =-0.2 A) : NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)• Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) =- 0.20 V (max) : NPN VCE (sat) = 0.14 V (max)• High-speed switching : PNP tf = 40 ns (typ.) : NPN tf = 45 ns (typ.)
Funktionen
- Improved noise reduction
- Advanced circuit design
- Faster data transfer rates
Anwendung
- Consumer electronics: Making life easier at home
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-25-5 | Transistor Polarity | NPN, PNP |
Configuration | Dual | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V, 30 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Maximum DC Collector Current | 8 A | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HN4B102 |
Brand | Toshiba | Continuous Collector Current | - 1.8 A, 2 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 | DC Current Gain hFE Max | 500 |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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