Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000Infineon IPD110N12N3
N-Channel MOSFET Transistor
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IPD110N12N3
Datenblatt: IPD110N12N3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse:
Produktart: MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.071 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
Ovaga hat einen großen Vorrat an IPD110N12N3 MOSFETs von Infineon Technologies Corporation und wir garantieren, dass es sich um originale, brandneue Teile handelt, die direkt bezogen wurden von Infineon Technologies Corporation Wir können Qualitätsprüfberichte für bereitstellen IPD110N12N3 auf Ihre Anfrage hin. Um ein Angebot zu erhalten, geben Sie einfach die erforderliche Menge, den Kontaktnamen und die E-Mail-Adresse in das Schnellangebotsformular auf der rechten Seite ein. Unser Vertriebsmitarbeiter wird sich innerhalb von 12 Stunden mit Ihnen in Verbindung setzen.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| place | launch_date | Sep 9, 2019 | |
| last_inspection_date | 02 MAY 2023 | rohs_version | 2011/65/EU, 2015/863 |
| supplier_cage_code | htsusa | ||
| schedule_b | ppap | ||
| aec |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The IPD110N12N3 chip is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and low on-state resistance in power management applications. It is characterized by a high current capability, low gate charge, and low reverse recovery time. This chip is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.
-
Equivalent
The equivalent products of IPD110N12N3 chip are IPP110N20N3 or IPP110N20N3 G. These products are also N-channel power MOSFETs that are suitable for high current applications. They have similar voltage and current ratings as the IPD110N12N3 chip. -
Features
- IPD110N12N3 is a power MOSFET transistor. - It has a drain-source voltage of 120V. - The maximum continuous drain current is 110A. - It has a low on-resistance of 7.5mΩ. - It offers high power dissipation and efficiency in power management applications. -
Pinout
The IPD110N12N3 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of its pins are typically drain, gate, and source. The drain pin connects to the power supply, the gate pin controls the flow of current, and the source pin is the reference point for the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IPD110N12N3. It is a semiconductor company that focuses on power and sensing solutions. Infineon Technologies specializes in developing products for automotive, industrial, and consumer electronics applications. The IPD110N12N3 is a power MOSFET transistor used in power management systems. -
Application Field
The IPD110N12N3 is a power MOSFET transistor commonly used in high-power applications such as industrial automation, power supplies, motor drives, and automotive systems. It is designed for high efficiency and reliability in switching applications where high current and voltage levels are required. -
Package
The IPD110N12N3 chip is a MOSFET transistor packaged in a TO-252-3 form, also known as DPAK, with a size of 6.6mm x 8.7mm x 2.3mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
Empfehlen
-
![47N60C3]()
-
![BSP135L6327]()
-
![BSC080N03LS]()
Infineon Technologies Corporation
-
![BSL303SPE]()
-
![BSL215CH6327]()
-
![BSL306N]()
