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IRF1407PBF
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Marken: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Herstellerteil #: IRF1407PBF
Datenblatt: IRF1407PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.252 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,344 | $1,344 |
| 10 | $1,154 | $11,540 |
| 50 | $1,051 | $52,550 |
| 100 | $0,934 | $93,400 |
| 500 | $0,882 | $441,000 |
| 1000 | $0,858 | $858,000 |
Auf Lager: 7.252 Stck
IRF1407PBF Allgemeine Beschreibung
The IRF1407PBF is a powerful 130A I(D) Power Field-Effect Transistor designed for high-performance applications. With a low on-resistance of 0.0078ohm, this N-Channel Silicon MOSFET is capable of efficiently handling high currents while minimizing power loss
Funktionen
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCEAnwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | IRF1407PBF | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Not Recommended | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 17 Weeks, 3 Days | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Additional Feature | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 390 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 75 V | Drain Current-Max (ID) | 130 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0078 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 330 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 520 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRF1407PBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high-performance applications. It features low on-state resistance and high switching speed, making it ideal for use in power electronics and motor control systems. This chip is commonly utilized in applications requiring efficient power management and high reliability.
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Equivalent
The IRF1407PBF chip is equivalent to the IRF1407, IRF1407S, and IRF1407LPBF MOSFET transistors. These are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
Features of IRF1407PBF include a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 75V, continuous drain current of 130A, low on-resistance of 0.004 ohms, and fast switching speeds. It is designed for high power applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The pin count of IRF1407PBF is 3 pins. It is a power MOSFET transistor with a function as a high performance N-channel power MOSFET for high power applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies. -
Manufacturer
The manufacturer of IRF1407PBF is Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor manufacturer headquartered in Germany. Infineon Technologies specializes in the production of a wide range of semiconductor products such as power semiconductors, sensors, microcontrollers, and automotive electronics. -
Application Field
IRF1407PBF is a power MOSFET commonly used in power supply, motor control, and lighting applications due to its low on-resistance and high current-handling capabilities. It is also suitable for use in automotive and industrial applications where high power requirements are needed. -
Package
The IRF1407PBF is a MOSFET power transistor in a TO-220AB package. It has a P-channel type with a VDS voltage rating of 75V, a continuous drain current of 71A, and a RDS(on) of 0.0045 ohm. The package size is 10.4mm x 4.6mm x 9.6mm.
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