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$5000IRFB3307
N-Channel 75 V 130A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRFB3307
Datenblatt: IRFB3307 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.937 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRFB3307 Allgemeine Beschreibung
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | HEXFET® | Package | Tube |
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 75A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5150 pF @ 50 V | Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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