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$5000IRG4PC50WPBF
Insulated Gate Bipolar Transistor, IRG4PC50WPBF
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRG4PC50WPBF
Datenblatt: IRG4PC50WPBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single IGBTs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.321 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRG4PC50WPBF Allgemeine Beschreibung
The IRG4PC50WPBF is a Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) produced by Infineon Technologies. It is a high power IGBT with a maximum voltage rating of 1200V and a continuous current rating of 46A. The device has a low on-state voltage of 2.2V and a low switching energy of 0.27mJ. The IRG4PC50WPBF is designed for use in high power applications such as motor control, power supplies, and inverters.This IGBT features a compact, lightweight design with a TO-247 package type that allows for easy mounting and connection. It also has a high short circuit withstand time of 10µs, making it suitable for use in applications where short circuit protection is critical.The device has a wide operating temperature range of -55°C to 150°C, allowing it to be used in a variety of environmental conditions. It also has a high di/dt capability, making it ideal for high frequency switching applications.
Funktionen
Anwendung
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 55 A |
| Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 20.7 mm |
| Length | 15.87 mm | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 400 | Subcategory | IGBTs |
| Width | 5.31 mm |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRG4PC50WPBF is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip. It is designed for use in power electronics applications such as motor controls, inverters, and power supplies where high switching speeds and efficiency are required. The chip offers a low on-state voltage drop and low switching losses, making it suitable for high-power applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IRG4PC50WPBF chip are IRG4PC50UD, IRG4PC50UDPBF, IRG4PC50W, IRG4PC50WPBF7PPBF, and IRGP50B60PD1. These chips are all high-voltage insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high power switching applications. -
Features
- Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module - High speed switching capabilities - Low saturation voltage - Enhanced ruggedness and reliability - 600V collector-emitter voltage - 55A collector current - 200W total power dissipation - RoHS compliant -
Pinout
IRG4PC50WPBF is a 3-pin IGBT module. The pins correspond to the gate (G), collector (C), and emitter (E) functions. -
Manufacturer
IRG4PC50WPBF is manufactured by International Rectifier, an American company that specializes in power management technology. They design and produce high-performance semiconductors for a variety of applications, including automotive, aerospace, and industrial markets. International Rectifier is a leading manufacturer in the field of power management technology. -
Application Field
IRG4PC50WPBF is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in applications such as motor drives, power supplies, induction heating, and UPS systems. Its 600V voltage rating and high current capability make it ideal for use in high power electronic devices. -
Package
The IRG4PC50WPBF is a semiconductor chip packaged in a TO-247AC form with a size of 3.58mm x 16.51mm x 20.32mm.
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