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K6T1008C2E-GB70
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
Marken: SAMSUNG
Herstellerteil #: K6T1008C2E-GB70
Datenblatt: K6T1008C2E-GB70 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOP-32
Produktart: SRAM
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5681 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMK6T1008C2E-GB70 Allgemeine Beschreibung
GENERAL DESCRIPTION The K6T1008C2E families are fabricated by SAMSUNGs advanced CMOS process technology. The families support various operating temperature ranges and have various package types for user flexibility of system design. The families also support low data retention voltage for battery back-up operation with low data retention current.FEATURES ·Process Technology: TFT ·Organization: 128Kx8 ·Power Supply Voltage: 4.5~5.5V ·Low Data Retention Voltage: 2V(Min) ·Three state output and TTL Compatible ·Package Type: 32-DIP-600, 32-SOP-525,32-TSOP1-0820F/R
Funktionen
- 1. Organization: 1M words x 8 bits
- 2. Low power consumption
- 3. Access time: 70 ns
- 4. Single 3.3V power supply
- 5. Fully static operation
- 6. LVTTL compatible inputs and outputs
- 7. Industrial temperature range (-40°C to 85°C)
- 8. High-speed data transfer with multiplexed address
- 9. Automatic power-down mode to reduce power consumption
- 10. Package: 32-pin TSOP-II
Anwendung
- 1. Personal computers and workstations
- 2. Printers and peripheral equipment
- 3. Data communication systems
- 4. Industrial control systems
- 5. Measurement equipment
- 6. Medical equipment
- 7. Any electronic devices requiring low power and high-speed data storage
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| ISSI | ISSI | SRAM | SRAM |
| Details | Details | 1 Mbit | 1 Mbit |
| 128 k x 8 | 128 k x 8 | 35 ns | 35 ns |
| - | - | Parallel | Parallel |
| 5.5 V | 5.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 10 mA | 10 mA | - 40 C | - 40 C |
| + 85 C | + 85 C | SMD/SMT | SMD/SMT |
| SOP-32 | SOP-32 | Tray | Tray |
| SDR | SDR | Yes | Yes |
| 1 | 1 | IS62C1024AL | IS62C1024AL |
| 84 | 84 | Memory & Data Storage | Memory & Data Storage |
| Asynchronous | Asynchronous |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
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![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
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![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
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![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The K6T1008C2E-GB70 is a memory chip manufactured by Samsung Electronics. It is a 128Kx8bit Low Power CMOS Static RAM (SRAM) device. It operates at a voltage range of 2.2V to 3.6V and has a speed of 70ns. The chip is commonly used in various electronic devices, such as computer systems, printers, and industrial applications, for data storage and retrieval purposes.
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Equivalent
Equivalent products of the K6T1008C2E-GB70 chip include the CY7C1041CV33, M5M5256BP-12, and the AT29C010A-12TC. -
Pinout
The K6T1008C2E-GB70 is a 32K x 8 bit low power CMOS static random access memory (SRAM) device. It has a pin count of 32 pins and functions as a memory storage component for various electronic devices. -
Manufacturer
Samsung is the manufacturer of the K6T1008C2E-GB70. Samsung is a multinational conglomerate, specializing in various industries including electronics, telecommunications, and computer components. -
Application Field
The K6T1008C2E-GB70 is a 128K x 8 bit low-power CMOS static RAM chip. It can be used in various applications such as industrial control systems, computer peripherals, telecommunications, automotive electronics, and other devices where low power consumption and high-speed operation are required. -
Package
The K6T1008C2E-GB70 chip is a 32-pin TSOP II package, with a form factor of Thin Small Outline Package. Its dimensions are approximately 10.2 mm x 9.6 mm.
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