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ON NJT4030PT1G
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 160MHz 2 W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NJT4030PT1G
Datenblatt: NJT4030PT1G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-223
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3509 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMNJT4030PT1G Allgemeine Beschreibung
The combination of low saturation voltage and high gain makes this bipolar power transistor an ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern.
Funktionen
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High DC Current Gain
- High Current-Gain Bandwidth Product
- NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
- These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Anwendung
- Voltage regulation
- Power management for portable devices
- Switching regulator
- Inductive load driver
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NJT4030PT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | SOT-223 (TO-261) 4 LEAD | Package Description | TO-261, 4 PIN |
| Pin Count | 4 | Manufacturer Package Code | 0.0318 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 54 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Case Connection | COLLECTOR | Collector Current-Max (IC) | 3 A |
| Collector-Emitter Voltage-Max | 40 V | Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 100 | JEDEC-95 Code | TO-261AA |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 4 | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | PNP | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 160 MHz |
| feature-type | PNP | feature-category | Bipolar Power |
| feature-material | Si | feature-configuration | Single Dual Collector |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-collector-base-voltage-v | 40 |
| feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 40 | feature-maximum-emitter-base-voltage-v | 6 |
| feature-maximum-dc-collector-current-a | 3 | feature-minimum-dc-current-gain | [email protected]@1V|200@1A@1V|100@3A@1V |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 2000 | feature-maximum-transition-frequency-mhz | 160(Typ) |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 4 | feature-supplier-package | SOT-223 |
| feature-standard-package-name1 | SOT | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | Yes | feature-military | No |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NJT4030PT1G chip is a high-speed, low-power diode designed for use in amplifier circuits and other high frequency applications. Its small package size and low forward voltage drop make it suitable for use in portable electronic devices. The chip is manufactured by ON Semiconductor and offers excellent performance and reliability in demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of NJT4030PT1G chip are BCP56-16T1G, BSS138LT1G, BSS84LT1G, BSS84P, BSS84PT1, NDT3055L, NDT3055L-1, NDT3055L-1G, PDTA123TT, PDTA123TK, and PDTA124TK. -
Features
The features of NJT4030PT1G include high-speed switching, low on-resistance, and low gate charge. It is an N-channel MOSFET transistor with a drain voltage rating of 30 volts and a continuous drain current rating of 11 amps. It is designed for use in power management applications. -
Pinout
The NJT4030PT1G is a dual N-channel logic level enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain. -
Manufacturer
The manufacturer of the NJT4030PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global supplier of semiconductors and other electronic components. -
Application Field
The NJT4030PT1G is a small signal NPN transistor commonly used in low-power applications such as amplifiers, switching circuits, and voltage regulators. It is suitable for general-purpose amplification tasks and low-frequency switching applications. -
Package
The NJT4030PT1G chip is packaged in a SOT-23 form factor. Its size measures approximately 2.9mm x 1.3mm.
Datenblatt PDF
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