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NRVB1H100SFT3G
Part of MBR1H100SFT3G Series
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: NRVB1H100SFT3G
Datenblatt: NRVB1H100SFT3G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOD-123FL
Produktart: Schottky Diodes & Rectifiers
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMNRVB1H100SFT3G Allgemeine Beschreibung
This Schottky Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications, where compact size and weight are critical to the system. Because of its small size, it is ideal for use in portable and battery powered products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and 'Oring' of multiple supply voltages and any other application where performance and size are critical.
Funktionen
- Low Forward Voltage
- Guardring for Stress Protection
- 175°C Operating Junction Temperature
- Epoxy Meets UL94 V-0
- Package Designed for Optimal Automated Board Assembly
- ESD Ratings:
Machine Model = C, Human Body Model = 3B - This is a Pb-Free Device
Mechanical Characteristics: - Reel Options: MBR1H100SFT3G = 10,000 per 13 in reel/8 mm tape
- Device Marking: L1H
- Polarity Designator: Cathode Band
- Weight: 11.7 mg (approximately)
- Case: Epoxy, Molded
- Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)
- Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds
- Device Meets MSL 1 Requirements
- AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements
Anwendung
- Power Conversion Circuit
- Reverse Battery Protection
- Protection and Free Wheeling Diode
- Gate Driving Circuit
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOD-123FL | Case Outline | 498-01 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 10000 |
| ON Target | Y | Configuration | Single |
| VRRM Min (V) | 100 | VF Max (V) | 0.76 |
| IRM Max (µA) | 40 | IO(rec) Max (A) | 1 |
| IFSM Max (A) | 50 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NRVB1H100SFT3G chip is a high voltage Silicon Carbide Schottky diode designed for use in power conversion applications. It offers low forward voltage drop, fast switching speeds, and high temperature operation, making it ideal for high power and efficiency requirements.
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Equivalent
The equivalent products of NRVB1H100SFT3G chip include NRVB1H100SFTWG, NRVB1H100SFTWG-M2, and NRVB1H100SFTWGM2J. These chips are similar in specifications and performance, making them suitable alternatives for the NRVB1H100SFT3G chip. -
Features
NRVB1H100SFT3G is a high-speed Schottky diode with a reverse voltage of 100V, forward current of 1A, and a small foot print. It has a low forward voltage drop, fast switching speed, and is suitable for high frequency applications. -
Pinout
The NRVB1H100SFT3G is a Dual Schottky Barrier Diode Array with a pin count of 3. Pin configuration: Pin 1 - Common cathode, Pin 2 - Anode, Pin 3 - Anode. This diode array is designed for voltage clamping protection in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the NRVB1H100SFT3G is ROHM Semiconductor. They are a Japanese company that specializes in the design and manufacture of integrated circuits, transistors, and other electronic components. ROHM Semiconductor primarily focuses on providing semiconductor solutions for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The NRVB1H100SFT3G is commonly used in radio frequency power amplifiers, RF transceivers, and microwave circuits. It is suitable for applications in wireless communication systems, radar systems, satellite communication, and industrial RF heating equipment. Its high power handling capability and high efficiency make it ideal for high-performance RF applications. -
Package
The NRVB1H100SFT3G chip comes in a SOT-23-3 package type, surface mount form, and measures 2.8mm x 2.9mm x 1.3mm in size.
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