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NEXPERIA PBSS5540Z
Bipolar Transistors - BJT
Marken: nexperia
Herstellerteil #: PBSS5540Z
Datenblatt: PBSS5540Z Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT223
Produktart: BJTs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3500 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMPBSS5540Z Allgemeine Beschreibung
PNP low V transistor in a SOT223 plastic package.NPN complement: PBSS4540Z
Funktionen
- Low collector-emitter saturation voltage
- High current capability
- Improved device reliability due to reduced heat generation
Anwendung
- Supply line switching circuits
- Battery management applications
- DC/DC converter applications
- Strobe flash units
- Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers)
- MOSFET driver applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Brand | Nexperia |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The PBSS5540Z is a PNP low VCEsat low on-state resistance transistor chip used in various applications such as load switching, DC-DC converters, and motor control. It offers high power dissipation capabilities and low saturation voltage, making it ideal for power management in compact electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of PBSS5540Z chip are PSMN022-30PL, IRFH7921PBF, and IPP60R190P6. These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and functionalities, making them suitable alternatives for the PBSS5540Z in various applications. -
Features
The PBSS5540Z is a NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, featuring high current capability, low power dissipation, and high switching speed. It is ideal for general-purpose switching and amplifier applications in a wide range of electronic devices. -
Pinout
The PBSS5540Z is a dual NPN bipolar junction transistor with a pin count of 3 - Base, Collector, Emitter. It is commonly used as a general-purpose switch for low-voltage applications in power management circuits. -
Manufacturer
The PBSS5540Z is manufactured by NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a global semiconductor manufacturer specializing in the design and production of a wide range of integrated circuits for various applications including automotive, industrial, and communication technologies. Their products are used in a variety of electronic devices and systems worldwide. -
Application Field
The PBSS5540Z is commonly used in applications such as battery charging circuits, power management systems, and motor control. This PNP transistor is suitable for use in automotive, consumer electronics, and industrial equipment due to its high power dissipation capability and low saturation voltage. -
Package
The PBSS5540Z chip comes in a SOT223 package type, with a surface-mount form, and measures 6.7mm x 3.7mm x 3.2mm in size.
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