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PC28F512M29EWHB
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R
Marken: Micron Technology
Herstellerteil #: PC28F512M29EWHB
Datenblatt: PC28F512M29EWHB Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: BGA-64
Produktart: NOR Flash
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMPC28F512M29EWHB Allgemeine Beschreibung
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 100 ns 64-FBGA (11x13)
Funktionen
- High-Performance Read, Program and Erase
- – 96 ns initial read access
- – 108 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 7 ns clock-to-data output
- – 133 MHz with zero wait-state synchronous burst reads: 5.5 ns clock-to-data output
- – 8-, 16-, and continuous-word synchronous-burst Reads
- – Programmable WAIT configuration
- – Customer-configurable output driver impedance
- – Buffered Programming: 2.0 μs/Word (typ), 512-Mbit 65 nm
- – Block Erase: 0.9 s per block (typ)
- – 20 μs (typ) program/erase suspend
- Architecture
- – 16-bit wide data bus
- – Multi-Level Cell Technology
- – Symmetrically-Blocked Array Architecture
- – 256-Kbyte Erase Blocks
- – 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions
- – 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions
- – 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions
- – 128-Mbit device: Eight 16-Mbit partitions
- – Read-While-Program and Read-While-Erase
- – Status Register for partition/device status
- – Blank Check feature
- Quality and Reliability
- – Expanded temperature: –30 °C to +85 °C
- – Minimum 100,000 erase cycles per block
- – 65nm Process Technology
- Power
- – Core voltage: 1.7 V - 2.0 V
- – I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V
- – Standby current: 60 μA (typ) for 512-Mbit, 65 nm
- – Deep Power-Down mode: 2 μA (typ)
- – Automatic Power Savings mode
- – 16-word synchronous-burst read current: 23 mA (typ) @ 108 MHz; 24 mA (typ) @ 133 MHz
- Software
- – Micron® Flash data integrator (FDI) optimized
- – Basic command set (BCS) and extended command set (ECS) compatible
- – Common Flash interface (CFI) capable
- Security
- – One-time programmable (OTP) space
- 64 unique factory device identifier bits
- 2112 user-programmable OTP bits
- – Absolute write protection: VPP = GND
- – Power-transition erase/program lockout
- – Individual zero latency block locking
- – Individual block lock-down
- Density and packaging
- – 128Mb, 256Mb, 512Mbit, and 1-Gbit
- – Address-data multiplexed and non-multiplexed interfaces
- – 64-Ball Easy BGA
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Micron Technology | Product Category: | NOR Flash |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | BGA-64 |
| Series: | M29EW | Memory Size: | 512 Mbit |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V | Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Active Read Current - Max: | 50 mA | Interface Type: | Parallel |
| Organization: | 64 M x 8/32 M x 16 | Data Bus Width: | 8 bit/16 bit |
| Timing Type: | Asynchronous | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 85 C | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Micron | Memory Type: | NOR |
| Product Type: | NOR Flash | Speed: | 100 ns |
| Standard: | Common Flash Interface (CFI) | Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
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![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The PC28F512M29EWHB chip is a flash memory device with a capacity of 512MB. It features a 40nm process technology, a 1.8V power supply, and offers fast read and write speeds. The chip is designed for use in various high-performance applications, such as telecommunications, networking, automotive, and industrial devices.
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Equivalent
Some equivalent products of PC28F512M29EWHB chip are PC28F512M29EWLA, PC28F512M29ESLA, and PC28F512M29EBDA. These chips offer similar features and performance characteristics as the PC28F512M29EWHB chip produced by Micron Technology. -
Features
PC28F512M29EWHB features a 512Mb NAND Flash memory with a 16-bit interface, operating voltage of 1.8V, advanced security features, and high performance and reliability ideal for automotive and industrial applications. It also offers fast program and erase operations, extensive error correction and data retention capabilities. -
Pinout
The PC28F512M29EWHB is a 64-pin flash memory chip. It is a 512Mb (64MB) NOR Flash memory with x16 parallel interface. It is commonly used in applications requiring high-density, non-volatile memory storage such as embedded systems, automotive, and industrial applications. -
Manufacturer
The PC28F512M29EWHB is manufactured by Micron Technology, Inc., which is an American multinational corporation that produces computer memory and data storage products. Micron is a leading provider of advanced semiconductor solutions, specializing in dynamic random-access memory (DRAM), NAND flash memory, and other innovative technologies for storage and memory applications. -
Application Field
The PC28F512M29EWHB is commonly used in embedded systems, industrial control systems, automotive applications, communication devices, and other applications that require high performance and reliability. It is suitable for data storage, program execution, and firmware updates in various electronic devices. -
Package
The PC28F512M29EWHB chip comes in a TSOP package (Thin Small-Outline Package), in the form of a surface-mount device. It has a size of 12mm x 20mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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