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QH8MA3TCR

Mosfet Array 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ROHM Semiconductor

Herstellerteil #: QH8MA3TCR

Datenblatt: QH8MA3TCR Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TSMT8

Produktart: FET, MOSFET Arrays

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6.028 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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QH8MA3TCR Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer ROHM Semiconductor Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TSMT-8
Transistor Polarity N-Channel, P-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 7 A, 5.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 22 mOhms, 37 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V, 2.5 V Qg - Gate Charge 7.2 nC, 10 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2.5 W Channel Mode Enhancement
Brand ROHM Semiconductor Configuration Dual
Fall Time 5.7 ns, 20 ns Forward Transconductance - Min 2.7 S, 3.3 S
Product Type MOSFET Rise Time 8 ns, 12 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel, 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 12 ns, 40 ns
Typical Turn-On Delay Time 7.2 ns, 8 ns Part # Aliases QH8MA3
Unit Weight 0.000353 oz

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    Schritt5 :Verpackungskartons

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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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