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RF05VAM1STR
T/R Fast Recovery Diode 2-Pin 100V 0.5A Diode
Marken: Rohm Semiconductor
Herstellerteil #: RF05VAM1STR
Datenblatt: RF05VAM1STR Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 2-SMD,FlatLead
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.334 Stück, Neues Original
Produktart: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,077 | $0,385 |
| 50 | $0,068 | $3,400 |
| 150 | $0,064 | $9,600 |
| 500 | $0,060 | $30,000 |
| 3000 | $0,058 | $174,000 |
| 6000 | $0,056 | $336,000 |
Auf Lager: 8.334 Stck
RF05VAM1STR Allgemeine Beschreibung
The RF05VAM1STR is an innovative super fast recovery diode that boasts a small mold type design, making it ideal for high frequency rectification applications. Its compact size allows for easy integration into various electronic devices, while its exceptional performance ensures efficient operation
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980 mV @ 500 mA | Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | TUMD2S | Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Base Product Number | RF05VAM1 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Verpackung
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The RF05VAM1STR chip is a high-frequency RF power amplifier module designed for use in various wireless communication applications. It operates in the frequency range of 3.3 to 3.6 GHz and is ideal for small cell base stations, repeaters, and mobile devices. The chip provides high efficiency and output power, making it a versatile solution for boosting signal strength in wireless networks.
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Equivalent
Some equivalent products of the RF05VAM1STR chip are RF05VAM1ST, RF05VAM1STL, RF05VAM1STH, and RF05VAM1SM. These chips offer similar functionality and performance to the RF05VAM1STR chip. -
Features
RF05VAM1STR is a rugged and reliable RF-level sensor with a wide operating temperature range of -40°C to 85°C. It has a compact design and operates on a supply voltage of 4.75V to 5.25V. This sensor is ideal for industrial applications requiring accurate and consistent level measurements. -
Pinout
The RF05VAM1STR is a 5-pin RF switch with a SPDT configuration. It features 2 input/output pins, one ground pin, and 2 control pins for selecting between the two RF ports. The RF05VAM1STR is commonly used for switching between different RF sources in electronic devices. -
Manufacturer
RF05VAM1STR is manufactured by Samsung, a multinational conglomerate known for its electronic products such as smartphones, TVs, and home appliances. Samsung is headquartered in South Korea and is one of the world's largest technology companies. -
Application Field
The RF05VAM1STR is commonly used in applications requiring high-frequency signal amplification and RF switching, such as wireless communication systems, radar systems, and RF test equipment. It is also used in industrial and scientific applications that require high power RF amplification and switching functionality. -
Package
The RF05VAM1STR chip comes in a standard package type known as a surface mount package. It has a form factor of RF and a size of 1.6mm x 1.2mm.
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