Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Renesas RJH60F5DPQ
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Marken: Renesas Technology Corp
Herstellerteil #: RJH60F5DPQ
Datenblatt: RJH60F5DPQ Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3726 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMRJH60F5DPQ Allgemeine Beschreibung
RJH60F5DPQ is a power MOSFET transistor manufactured by Renesas Electronics. It is designed for use in high-power switching applications such as power supplies, motor control, and inverters.
Funktionen
- Drain-Source voltage (VDS) rating of 600V
- Continuous Drain Current (ID) rating of 60A
- Low on-state resistance (RDS(on)) of 0.085 ohms
- Fast switching speed
- Low gate charge
Anwendung
- AC and DC motor control
- Switch-mode power supplies (SMPS)
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Inverters for solar power generation and electric vehicles
- Industrial equipment and automation systems
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The RJH60F5DPQ is a power MOSFET chip designed for high-performance switching applications. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for use in power converters and motor drives. The chip's compact size and high efficiency make it a popular choice in various power electronics applications.
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Equivalent
There aren't any known equivalent products available for the RJH60F5DPQ chip. -
Features
The RJH60F5DPQ is a high voltage power MOSFET that is designed for high-speed switching applications. It features a low on-resistance, low switching loss, and low gate charge. It is suitable for use in motor control, power supplies, and other applications where efficiency and high performance are essential. -
Pinout
The RJH60F5DPQ is a Power MOSFET module with a pin count of 7. The functions of the pins are as follows: 1. Gate, 2. Drain, 3. Source, 4. Collector, 5. Emitter, 6. Collector, 7. Emitter. -
Manufacturer
The manufacturer of the RJH60F5DPQ is Renesas Electronics Corporation. It is a Japanese semiconductor manufacturing company that specializes in providing integrated circuit solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
RJH60F5DPQ is a power MOSFET transistor designed for various application areas that require high power and efficiency. It can be used in industrial equipment, motor control systems, power supply units, and inverters for renewable energy systems. Its low on-resistance and high current capability make it suitable for high-performance applications where low power losses and robustness are crucial. -
Package
The RJH60F5DPQ chip has a package type of TO-247N, a form of tube, and a size of 23.6mm x 15.8mm x 5.6mm.
Datenblatt PDF
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