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$5000ST SCTL35N65G2V
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: SCTL35N65G2V
Datenblatt: SCTL35N65G2V Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerFLAT
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.785 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCTL35N65G2V Allgemeine Beschreibung
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Funktionen
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Pin Count | 5 | Package Category | Other |
Released Date | Mar 24, 2021 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Datenblatt PDF
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