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$5000SPZT651T1G
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 2 A 75MHz 800 mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: SPZT651T1G
Datenblatt: SPZT651T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse:
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.649 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SPZT651T1G Allgemeine Beschreibung
This NPN Bipolar Transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.
Funktionen
- High Current: 2.0 Amp
- The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow.
- SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermalconduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formedleads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibilityof damage to the die.
- PNP Complement is PZT751T1
- S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS | Details | REACH | Details |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-223-4 |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V | Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
Maximum DC Collector Current | 2 A | Pd - Power Dissipation | 800 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 75 MHz | Minimum Operating Temperature | - |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Qualification | AEC-Q101 |
Series | PZT651 | Brand | onsemi |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 75 at 50 mA, 2 VDC | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
Versand
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