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$5000STD18N55M5
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Marken: STMICROELECTRONICS
Herstellerteil #: STD18N55M5
Datenblatt: STD18N55M5 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.615 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STD18N55M5 Allgemeine Beschreibung
With the fusion of MDmesh M5 vertical processing and PowerMESH horizontal design, the STD18N55M5 stands out as a premier choice for power applications requiring superior efficiency. Its ultra-low on-resistance sets it apart from competitors, ensuring optimal performance in demanding environments. Whether used in power supplies, motor control units, or automotive systems, this Power MOSFET excels in delivering power with precision and reliability
Funktionen
- Extremely low RDS(on)
- Low gate charge and input capacitance
- Excellent switching performance
- 100% avalanche tested
Anwendung
- Power Management
- Industrial
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | STD18N55M5 | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Part Package Code | TO-252 | Package Description | DPAK-3 |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 550 V | Drain Current-Max (ID) | 14 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.21 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-252 | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 90 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 56 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The STD18N55M5 chip is a power MOSFET designed for efficient switching applications. It has a voltage rating of 55V and a continuous drain current of 18A. This chip offers low conduction and switching losses, making it suitable for various power conversion applications. It is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications for its reliable performance and high power efficiency.
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Equivalent
Some equivalent products of the STD18N55M5 chip include the FDP18N50, IRFP260N, and STP18N50M5 power MOSFETs. -
Features
The STD18N55M5 is a N-channel Power MOSFET with a low on-resistance, making it suitable for various power applications. It offers high power dissipation, fast switching speeds, and low gate charge. Additionally, it has integrated protection features like over-temperature and over-current protection, ensuring safe and reliable operation in different scenarios. -
Pinout
The STD18N55M5 is a power MOSFET transistor with a TO-252 package (DPAK) and a pin count of 3. The pins and their functions are: Pin 1 = Gate (G), Pin 2 = Drain (D), and Pin 3 = Source (S). -
Manufacturer
The manufacturer of the STD18N55M5 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor manufacturing company that designs and produces a wide range of electronic components, including microcontrollers, power transistors, and sensors. -
Application Field
The STD18N55M5 is a power MOSFET transistor designed for use in high voltage applications. It can be commonly used in various fields such as power supplies, motor control circuits, lighting systems, and automotive applications. -
Package
The STD18N55M5 chip is available in a PowerFLAT package type, featuring a compact form factor and measuring approximately 6.1 by 2.6 mm in size.
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