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ST STGD10NC60KDT4

IGBT 600 V 20 A 62 W Surface Mount DPAK

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: STMicroelectronics, Inc

Herstellerteil #: STGD10NC60KDT4

Datenblatt: STGD10NC60KDT4 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: DPAK-3

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3740 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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STGD10NC60KDT4 Allgemeine Beschreibung

These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. These devices are well-suited for resonant or soft-switching applications.

stgd10nc60kdt4

Funktionen

  • Lower on voltage drop (VCE(sat))
  • Lower Cres / Cies ratio (no cross-conduction susceptibility)
  • Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
  • Short-circuit withstand time 10 μs
stgd10nc60kdt4

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package DPAK
feature-standard-package-name1 TO-252 feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-escc-qualified
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The STGD10NC60KDT4 chip is a powerful enhancement mode N-channel transistor that is designed for high-voltage applications. It is capable of handling currents up to 10A and voltages up to 600V. This chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for use in various power management and industrial applications.
  • Features

    The STGD10NC60KDT4 is a 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in a TO-252 (DPAK) package. It has a power dissipation of 46W, a collector current of 10A, and a low collector-emitter saturation voltage. It also features a built-in diode, fast switching speed, and is suitable for various applications such as motor drive, switching applications, and general-purpose inverters.
  • Pinout

    The STGD10NC60KDT4 is a power MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the STGD10NC60KDT4 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company that designs, develops, and markets a wide range of electronic components, including microcontrollers, power management integrated circuits, sensors, and more.
  • Application Field

    The STGD10NC60KDT4 is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for use in a variety of applications, including motor drives, power supplies, and inverters. It is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronic systems where high power and efficiency are required.
  • Package

    The STGD10NC60KDT4 chip is in package type TO-252 (DPAK), its form is a surface mount and it has a compact size of approximately 6.6mm x 9.0mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation STGD10NC60KDT4 PDF Herunterladen

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