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$5000ST STPSC10H065G2-TR
Schottky Diodes & Rectifiers 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: STPSC10H065G2-TR
Datenblatt: STPSC10H065G2-TR Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: H2PAK-2
Produktart: Single Diodes
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.784 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STPSC10H065G2-TR Allgemeine Beschreibung
This 10 A, 650 V SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.Housed in D²PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in charging station, DC/DC, easing the compliance to IEC-60664-1.The STPSC10H065G2 will boost performances in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.
Funktionen
- No or negligible reverse recovery
- Switching behavior independent of temperature
- High forward surge capability
- Operating Tj from -40 °C to 175 °C
- Power efficient product
- D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min.
- ECOPACK2 compliant component
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Pin Count | 3 | Package Category | Other |
Released Date | Aug 25, 2021 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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