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$5000STPSC5H12D
High-performance Silicon Carbide Power Schottky Diode with a surge rating of 5 A at 1200 V
Marken: STMicroelectronics
Herstellerteil #: STPSC5H12D
Datenblatt: STPSC5H12D Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-2
Produktart: Single Diodes
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.228 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STPSC5H12D Allgemeine Beschreibung
Elevate your power applications with the STPSC5H12D SiC diode, a game-changer in power rectification technology. With a silicon carbide substrate and ultrahigh performance design, this power Schottky rectifier offers a 1200 V rating that sets it apart from traditional diodes. Featuring a Schottky construction, this diode delivers unmatched capacitive turn-off behavior with no recovery at turn-off and minimal ringing patterns, ensuring stability across temperature variations. Designed for PFC and secondary side applications, the ST SiC diode excels in hard switching conditions, enhancing performance and robustness during transient phases for optimal results
Funktionen
- Rapid switching performance for efficient systems
- Inherent zero-voltage turn-off capability
- High insulation resistance against electrical stresses
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | ECOPACK®2 | Package | Tube |
Product Status | Active | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | Current - Average Rectified (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 5 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 1200 V |
Capacitance @ Vr, F | 450pF @ 0V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | TO-220AC |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
Versand
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