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TOSHIBA TJ90S04M3L

Automotive Trans MOSFET P-CH Si 40V 90A 3-Pin DPAK AEC-Q101

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: toshiba

Herstellerteil #: TJ90S04M3L

Datenblatt: TJ90S04M3L Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: DPAK-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.203 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case DPAK-3
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 90 A
Rds On - Drain-Source Resistance 6 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 172 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 180 W Channel Mode Enhancement
Qualification AEC-Q101 Tradename U-MOSVI
Series TJ20A10M3 Brand Toshiba
Configuration Single Fall Time 426 ns
Product Type MOSFET Rise Time 76 ns
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 1305 ns Typical Turn-On Delay Time 94 ns
Unit Weight 0.012699 oz

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