TK10A60D
RoHS compliant FET for general purpose power applications
Marken: Toshiba
Herstellerteil #: TK10A60D
Datenblatt: TK10A60D Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220SIS
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5211 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMTK10A60D Allgemeine Beschreibung
The TK10A60D is a silicon N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-speed switching applications. It has a maximum drain-source voltage (Vds) of 600V and a continuous drain current (Id) rating of 10A, making it suitable for a wide range of power management applications.The TK10A60D features a low on-state resistance (Rds(on)) of 0.75 ohms, which results in reduced power dissipation and improved efficiency. This makes it ideal for use in power supply units, motor drives, and other demanding applications where high performance is required.The MOSFET is housed in a TO-220F package, which provides good thermal performance and allows for easy mounting on a printed circuit board. It also features a gate threshold voltage (Vgs) of 2-4V, ensuring compatibility with a wide range of control signals.
Funktionen
- 600V, 10A N-channel MOSFET
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High current capability
- High power dissipation
- High ruggedness
- TO-220 package
- Designed for use in high-power applications
Anwendung
- Power supplies
- Motor control
- Lighting
- Switching power supplies
- Electronic ballasts
- Automotive systems
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Product Category | Toshiba |
Versand
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