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TI UCC5390SCD 48HRS

Gate Driver Capacitive Coupling 3000Vrms 1 Channel 8-SOIC

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ti

Herstellerteil #: UCC5390SCD

Datenblatt: UCC5390SCD Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOIC (D)-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.477 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Menge Einzelpreis Ext. Preis
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10 $2,416 $24,160
30 $2,199 $65,970
100 $1,980 $198,000
500 $1,878 $939,000
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UCC5390SCD Allgemeine Beschreibung

The UCC53x0 is a family of single-channel, isolated gate drivers designed to drive MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN FETs (UCC5350SBD). The UCC53x0S provides a split output that controls the rise and fall times individually. The UCC53x0M connects the gate of the transistor to an internal clamp to prevent false turnon caused by Miller current. The UCC53x0E has its UVLO2 referenced to GND2 to get a true UVLO reading.

The UCC53x0 is available in a 4 mm SOIC-8 (D) or 8.5 mm SOIC-8 (DWV) package and can support isolation voltage up to 3 kVRMS and 5 kVRMS respectively. With these various options the UCC53x0 family is a good fit for motor drives and industrial power supplies.

Compared to an optocoupler, the UCC53x0 family has lower part-to-part skew, lower propagation delay, higher operating temperature, and higher CMTI.

Funktionen

  • Feature Options
    • Split Outputs (UCC53x0S)
    • UVLO Referenced to GND2 (UCC53x0E)
    • Miller Clamp Option (UCC53x0M)
  • 8-pin D (4-mm Creepage) and
    DWV (8.5mm Creepage) Package
  • 60-ns (Typical) Propagation Delay
  • 100-kV/µs Minimum CMTI
  • Isolation Barrier Life > 40 Years
  • 3-V to 15-V Input Supply Voltage
  • Up to 33-V Driver Supply Voltage
    • 8-V and 12-V UVLO Options
  • Negative 5-V Handling Capability on Input Pins
  • Safety-Related Certifications:
    • 7000-VPK Isolation DWV (Planned) and 4242-VPK Isolation D per DIN V VDE V 0884-11:2017-01 and DIN EN 61010-1
    • 5000-VRMS DWV and 3000-VRMS D
      Isolation Rating for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
      D and DWV (Planned)
  • CMOS Inputs
  • Operating Temperature: –40°C to +125°C

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121
Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET
Peak output current (A) 17 Features Emitter-referenced UVLO, Split output
Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13.2
Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 15
Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS
Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog
Bus voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 10
Fall time (ns) 10

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