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VNP35N07-E

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 25A TO-220

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: STMicroelectronics

Herstellerteil #: VNP35N07-E

Datenblatt: VNP35N07-E Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

Produktart: Power Distribution Switches, Load Drivers

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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VNP35N07-E Allgemeine Beschreibung

Featuring a robust n-channel configuration, the VNP35N07-E transistor boasts a maximum drain-source voltage (Vds) of 80V and a continuous drain current (Id) rating of 18A, making it ideal for demanding electronic circuits. The low on-resistance (Rds(On)) of 0.028Ohm and a threshold voltage (Vgs) of 3V contribute to its high efficiency and performance reliability. Its through-hole mounting style and 3-pin design facilitate secure placement and connectivity for seamless integration into various electronic projects. Furthermore, the transistor's Rds(On) test voltage of 10V ensures accurate measurement, while its RoHS compliance underscores its eco-friendly attributes

Funktionen

  • Efficient power conversion technology
  • Low noise and vibration emission
  • High efficiency rate achieved

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: STMicroelectronics Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 70 V Id - Continuous Drain Current: 35 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 28 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: -
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V Qg - Gate Charge: 100 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 40 W Channel Mode: Enhancement
Qualification: AEC-Q101 Series: VNP35N07-E
Packaging: Tube Brand: STMicroelectronics
Configuration: Single Fall Time: 200 ns, 4.3 us
Forward Transconductance - Min: 25 S Product Type: MOSFET
Rise Time: 350 ns, 2.7 us Factory Pack Quantity: 1000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
Type: MOSFET Typical Turn-Off Delay Time: 650 ns, 10 us
Typical Turn-On Delay Time: 100 ns, 500 us

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

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  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The VNP35N07-E is a power MOSFET chip designed for automotive applications. It features low on-resistance and can handle high currents, making it suitable for various automotive systems such as power steering, transmission control, and fuel injection. The chip is designed to withstand harsh automotive environments, and its compact size allows for easy integration into existing circuit designs.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products for the VNP35N07-E chip. However, there are similar power MOSFETs available on the market from various manufacturers, such as Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Infineon Technologies, and ON Semiconductor, that can be used as alternatives to the VNP35N07-E chip.
  • Features

    VNP35N07-E is a power MOSFET transistor. It has a maximum drain current of 35A and a maximum drain-source voltage of 70V. The device is designed for use in automotive applications and offers low on-resistance, high switching performance, and low gate charge.
  • Pinout

    The VNP35N07-E is a 7-pin power MOSFET designed for automotive electronic applications. It features a high-side driver configuration, and its main function is to control power supply to different components in an automotive system.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the VNP35N07-E is STMicroelectronics. It is a global semiconductor company that designs, develops, and manufactures a wide range of electronic components, including integrated circuits, sensors, and microcontrollers.
  • Application Field

    The VNP35N07-E is a power MOSFET transistor commonly used in applications requiring high current and low voltage switching, such as DC-DC converters, motor controls, and automotive systems.
  • Package

    The VNP35N07-E chip has a TO-220AB package type with a through-hole mounting form. It has a size of approximately 10.4mm x 15.6mm x 4.6mm.

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