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TO-270-2
(insgesamt 9 Teile)| Herst.Teile-Nr. | Beschreibung | Hersteller | Auf Lager | Betrieb |
|---|---|---|---|---|
| MRF6V2010GNR1 | VHV6 10W TO270-2GN RF MOSFET Transistors | NXP | 9.458 | BOM |
| AFT05MS031NR1 | Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V, FM2F | NXP | 9.458 | BOM |
| MRF6S20010NR1 | ) N-channel RF MOSFET with a 68V breakdown voltage in TO-270 package | NXP Semiconductors | 7.889 | BOM |
| MRFE6VS25NR1 | RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732 | NXP | 9.458 | BOM |
| AFT09MS031NR1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NXP | 9.458 | BOM |
| AFT05MS031GNR1 | RF Mosfet 13.6 V 10 mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL | NXP | 9.458 | BOM |
| MMRF1012NR1 | RF Mosfet 50 V 30 mA 220MHz 23.9dB 10W TO-270-2 | NXP USA Inc. | 6.305 | BOM |
| MRF6S9060MR1 | RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.4dB 14W TO-270-2 | NXP USA Inc. | 8.987 | BOM |
| MMRF1004NR1 | RF Mosfet 28 V 130 mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2 | NXP | 9.458 | BOM |
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