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$5000NXP AFT05MS031NR1
Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V, FM2F
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Marken: NXP
Herstellerteil #: AFT05MS031NR1
Datenblatt: AFT05MS031NR1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-270-2
Produktart: RF FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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AFT05MS031NR1 Allgemeine Beschreibung
The AFT05MS031NR1 is a high-performance LDMOS RF transistor with a power dissipation of 31W and a drain-source voltage of 40V DC. This transistor is designed for applications in the frequency range of 136MHz to 520MHz, making it suitable for a wide range of RF applications. The TO-270 package style and 2-pin configuration make it easy to integrate into various circuit designs, providing reliable and efficient RF performance
Funktionen
- Sustainable Energy Solution
- Reliable Power for Your Home
- Innovative Technology Inside
- Premium Quality Guaranteed
- Durable Performance Every Time
- User-Friendly Installation Process
Anwendung
- For consumer goods
- In industrial settings
- Essential for power
- Vital in comms
- Key for bright spaces
- Critical in healthcare
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 7.5 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | - 500 mV, 40 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
Operating Frequency: | 136 MHz to 520 MHz | Gain: | 19 dB |
Output Power: | 33 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | TO-270-2 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | NXP Semiconductors | Configuration: | Single |
Forward Transconductance - Min: | 5.8 S | Moisture Sensitive: | Yes |
Pd - Power Dissipation: | 294 W | Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Series: | AFT05MS031N | Factory Pack Quantity: | 500 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | LDMOS FET |
Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 6 V, 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 VDC | Part # Aliases: | 935325665528 |
Unit Weight: | 0.018679 oz |
Versand
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