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NXP FCP11N60
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Marken: NXP Semiconductor
Herstellerteil #: FCP11N60
Datenblatt: FCP11N60 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.013 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $2,236 | $2,236 |
| 10 | $1,918 | $19,180 |
| 50 | $1,719 | $85,950 |
| 100 | $1,514 | $151,400 |
| 500 | $1,422 | $711,000 |
| 1000 | $1,382 | $1382,000 |
Auf Lager: 3.013 Stck
FCP11N60 Allgemeine Beschreibung
The FCP11N60 MOSFET, part of ON Semiconductor's SuperFET® family, boasts cutting-edge technology that delivers exceptional performance in high voltage applications. By incorporating charge balance technology, this MOSFET achieves remarkably low on-resistance and reduced gate charge, resulting in minimized conduction loss and improved switching characteristics. With a focus on enhancing efficiency and reliability, the SuperFET MOSFET is the ideal choice for a wide range of power applications such as PFC, server and telecom power supplies, FPD TV power systems, ATX power sources, and various industrial power applications
Funktionen
- Soft start up feature enabled
- Faster switching time (typ. t.d=100ns)
- Low voltage drop (typ. Vf=1.2V)
- Pulse width modulated (PWM) control
- Achieves high power density (up to 5kW)
- Type II ESD protected up to 15kV
Anwendung
- Switching power supplies
- Motor control
- Lighting ballasts
- Audio amplifiers
- Welding equipment
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Series: | FCP11N60 |
| Packaging: | Tube | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 56 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 9.7 S | Height: | 16.3 mm |
| Length: | 10.67 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 98 ns | Factory Pack Quantity: | 50 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 119 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 34 ns | Width: | 4.7 mm |
| Unit Weight: | 0.068784 oz | feature-category | Power MOSFET |
| feature-material | feature-process-technology | SuperFET | |
| feature-configuration | Single | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | N | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 600 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±30 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 11 | |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 380@10V | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 40@10V |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | 40 | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1148@25V |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 125000 | |
| feature-packaging | Tube | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-220 |
| feature-standard-package-name1 | TO | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | No |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den FCP11N60 Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : STF11N60M2
Marken : STMicroelectronics
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRFP460
Marken : Infineon Technologies
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IXFK11N60
Marken :
Paket :
Beschreibung : by IXYS Corporation
Artikelnummer : SPP11N60C3
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A
Teilpunkte
-
The FCP11N60 is a power MOSFET chip designed for use in high-voltage applications. It has a maximum current rating of 11A and a maximum voltage rating of 600V. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and switching applications due to its high power handling capabilities and low on-state resistance.
-
Equivalent
Equivalent products of FCP11N60 chip include IRFP460, IRF760, IRFP250, and IRF3205. These MOSFETs have similar specifications, including high current rating, low on-resistance, and suitable for power applications inverter, UPS, and motor control. Always consult the datasheets and specifications to ensure compatibility with your specific application. -
Features
Features of FCP11N60 include a high voltage rating of 600V, a continuous current rating of 11A, low on-state voltage drop, and fast switching performance. It has a TO-220 package style, suitable for a variety of high voltage applications. -
Pinout
The FCP11N60 has a pin count of 3 pins and functions as a Power MOSFET transistor. It is typically used in power supply and motor control applications, offering a high drain current capability and low on-resistance. -
Manufacturer
The FCP11N60 is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is a global supplier of power management and semiconductor technologies. Fairchild Semiconductor provides a wide range of products for various industries, including automotive, consumer, and industrial applications. They focus on innovating power-efficient technologies to enhance performance and reliability in electronic devices. -
Application Field
The FCP11N60 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as high-speed switching power supplies, motor control, power inverters, and UPS systems. It is suitable for use in various electronic devices where high efficiency and ruggedness are required. -
Package
The FCP11N60 chip comes in a TO-220F package type with a through-hole mounting form. The size of the chip is approximately 10.1mm x 15.2mm x 4.95mm.
Datenblatt PDF
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