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NXP MRF281ZR1

RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: NXP

Herstellerteil #: MRF281ZR1

Datenblatt: MRF281ZR1 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: NI-200Z-3

Produktart: RF MOSFET Transistors

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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MRF281ZR1 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Operating Frequency: 1 GHz to 2.5 GHz
Gain: 11 dB Output Power: 4 W
Minimum Operating Temperature: - 65 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: NI-200Z-3
Packaging: Reel Brand: NXP Semiconductors
Channel Mode: Enhancement Configuration: Single
Height: 2.95 mm Length: 5.16 mm
Pd - Power Dissipation: 20 W Product Type: RF MOSFET Transistors
Subcategory: MOSFETs Type: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Width: 4.14 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MRF281ZR1 is a RF power amplifier chip developed by NXP Semiconductors. It operates in the frequency range of 2110 to 2170 MHz and is primarily used in wireless communications applications, such as cellular base stations. The chip provides high output power, high linearity, and efficient operation, making it suitable for 3G and 4G LTE networks.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the MRF281ZR1 chip include the MRF281SR1, MRF282Z, and MRF282XR1. These chips are all RF power transistors designed for high-performance applications.
  • Features

    The MRF281ZR1 is a high power RF transistor developed by NXP Semiconductors. It is designed for use in mobile radio applications in the 136-174 MHz frequency range. The key features of this transistor include high power output, excellent linearity, and efficiency, making it suitable for demanding communication requirements.
  • Pinout

    The MRF281ZR1 is a single-ended RF power amplifier transistor with a pin count of 3. The pins are labeled Collector (C), Base (B), and Emitter (E). The collector is connected to the positive voltage supply, the base receives the input signal, and the emitter is grounded.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MRF281ZR1 is Motorola Solutions, Inc. It is an American company that specializes in communication technology and services.
  • Application Field

    The MRF281ZR1 is a high-frequency silicon bipolar RF power transistor designed for applications in the VHF frequency range. It is commonly used in TV broadcasting, VHF transmitters, and RF heating systems. Its high power and frequency capabilities make it suitable for use in various communication and industrial applications.
  • Package

    The MRF281ZR1 chip has a package type of SOT-223, a form of surface mount, and a size of around 6.7 mm x 6.7 mm.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

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