NXP MRF6S20010GNR1
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Marken: NXP Semiconductor
Herstellerteil #: MRF6S20010GNR1
Datenblatt: MRF6S20010GNR1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-270
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3565 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMMRF6S20010GNR1 Allgemeine Beschreibung
RF FET, 68V, 2.2GHZ-1.6GHZ, TO-270G; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 2.2GHz; Operating Frequency Max: 1.6GHz; RF Transistor Case: TO-270G; No. of
Funktionen
- Operating frequency: 1920 - 1990 MHz
- Output Power: 10 W
- Efficiency: 57%
- Gain: 12 dB
- Voltage: 32 V
- Package: OM-780-4
Anwendung
- AFT05MS004NT1
- BLC9G20L-160AV
- FLL57MK-A
- PTFA091001FV5
- QPD0009L
- SPF-2860Z
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-270 GULL |
feature-standard-package-name1 | TO-270 GULL | feature-cecc-qualified | No |
feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | Yes |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
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Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MRF6S20010GNR1 chip is a high-frequency, power amplifier designed for applications in the industrial, scientific, and medical fields. It offers a frequency range of 2110 to 2170 MHz with a maximum output power of 10 watts. The chip is designed to provide reliable and efficient amplification for wireless communication systems, enabling enhanced performance and signal quality.
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Equivalent
Some equivalent products to the MRF6S20010GNR1 chip are the BLC10G25LS-100AVR chip, the HMC311SC60 chip, and the MAMX-011013 chip. -
Features
The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor with a frequency range of 1920-1980 MHz. It offers a typical power output of 10 Watts and has a gain of 17.6 dB. This transistor is designed for use in applications such as cellular base stations, mobile radios, and other RF power amplifiers. -
Pinout
The MRF6S20010GNR1 is a transistor with a pin count of 4. Its primary function is to amplify signals in the range of 1.85 GHz to 2.17 GHz. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF6S20010GNR1 is NXP Semiconductors. NXP is a Dutch multinational semiconductor manufacturer that specializes in the research, development, and production of a wide range of integrated circuits, including RF power amplifiers like the MRF6S20010GNR1. -
Application Field
The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in broadcast applications, including TV and radio transmitters. It provides excellent performance and power efficiency, making it suitable for various broadcast systems and equipment. -
Package
The MRF6S20010GNR1 chip is available in a TO-270 package type, with a flanged ceramic form. The size of the chip is typically 10.1 mm x 8.9 mm.
Datenblatt PDF
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