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NXP MRF6S20010GNR1

Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: NXP Semiconductor

Herstellerteil #: MRF6S20010GNR1

Datenblatt: MRF6S20010GNR1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-270

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3565 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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MRF6S20010GNR1 Allgemeine Beschreibung

RF FET, 68V, 2.2GHZ-1.6GHZ, TO-270G; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 2.2GHz; Operating Frequency Max: 1.6GHz; RF Transistor Case: TO-270G; No. of

mrf6s20010gnr1

Funktionen

  • Operating frequency: 1920 - 1990 MHz
  • Output Power: 10 W
  • Efficiency: 57%
  • Gain: 12 dB
  • Voltage: 32 V
  • Package: OM-780-4

Anwendung

  • AFT05MS004NT1
  • BLC9G20L-160AV
  • FLL57MK-A
  • PTFA091001FV5
  • QPD0009L
  • SPF-2860Z

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package TO-270 GULL
feature-standard-package-name1 TO-270 GULL feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-escc-qualified
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
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Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MRF6S20010GNR1 chip is a high-frequency, power amplifier designed for applications in the industrial, scientific, and medical fields. It offers a frequency range of 2110 to 2170 MHz with a maximum output power of 10 watts. The chip is designed to provide reliable and efficient amplification for wireless communication systems, enabling enhanced performance and signal quality.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the MRF6S20010GNR1 chip are the BLC10G25LS-100AVR chip, the HMC311SC60 chip, and the MAMX-011013 chip.
  • Features

    The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor with a frequency range of 1920-1980 MHz. It offers a typical power output of 10 Watts and has a gain of 17.6 dB. This transistor is designed for use in applications such as cellular base stations, mobile radios, and other RF power amplifiers.
  • Pinout

    The MRF6S20010GNR1 is a transistor with a pin count of 4. Its primary function is to amplify signals in the range of 1.85 GHz to 2.17 GHz.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MRF6S20010GNR1 is NXP Semiconductors. NXP is a Dutch multinational semiconductor manufacturer that specializes in the research, development, and production of a wide range of integrated circuits, including RF power amplifiers like the MRF6S20010GNR1.
  • Application Field

    The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in broadcast applications, including TV and radio transmitters. It provides excellent performance and power efficiency, making it suitable for various broadcast systems and equipment.
  • Package

    The MRF6S20010GNR1 chip is available in a TO-270 package type, with a flanged ceramic form. The size of the chip is typically 10.1 mm x 8.9 mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation MRF6S20010GNR1 PDF Herunterladen

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