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NXP MJE13009
12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MJE13009
Datenblatt: MJE13009 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.630 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,453 | $0,453 |
| 10 | $0,411 | $4,110 |
| 30 | $0,390 | $11,700 |
| 100 | $0,292 | $29,200 |
| 500 | $0,279 | $139,500 |
| 1000 | $0,273 | $273,000 |
Auf Lager: 3.630 Stck
MJE13009 Allgemeine Beschreibung
MJE13009 is a type of NPN bipolar power transistor that is commonly used in high-voltage switching applications.
Funktionen
- Collector-emitter voltage of 600V
- Collector current of 12A
- Power dissipation of 150W
- High switching speed
- Low saturation voltage
Anwendung
- Switch mode power supplies
- High-voltage electronic ballasts for fluorescent lamps
- Motor control circuits
- AC-DC converters
- Voltage regulators
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Name | MJE13009 | Product Type | NPN Silicon Power Transistor |
| Collector-Emitter Voltage (Vce) | 700V | Collector Current (Ic) | 12A |
| Base Current (Ib) | 2A | Power Dissipation (Pd) | 80W |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz | Operating Temperature Range | -65°C to 150°C |
| Package | TO-220 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Äquivalente Teile
Für den MJE13009 Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : NTE2667
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : TIP35C
Marken :
Paket : TO-247
Beschreibung : Trans GP BJT NPN 100V 25A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Artikelnummer : MJW16010
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : MJH16010
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : BDW93C
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : BDW93/A/B/CSilicon NPN Power Transistors
Artikelnummer : BDW94C
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : Trans Darlington PNP 100V 12A 80000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Teilpunkte
-
The MJE13009 is a high voltage NPN power transistor that is widely used in various electronic applications. It can handle high power dissipation and voltage levels up to 400V, making it suitable for use in power supplies, inverter circuits, motor control, and audio amplifiers. The transistor is designed to deliver high performance and efficiency while ensuring reliable operation in demanding conditions.
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Equivalent
Some equivalent products of the MJE13009 chip include the STMicroelectronics ST13009, ON Semiconductor TIP3055, Fairchild Semiconductor KSE13009, and NXP Semiconductors MJE13009G. -
Features
The MJE13009 is an NPN silicon power transistor with a maximum collector-emitter voltage of 400V, a continuous collector current of 12A, and a power dissipation of 80W. It is primarily used in high-speed, high-power switching applications and offers excellent switching times, low saturation voltage, and a built-in base-emitter shunt to improve switching characteristics. -
Pinout
The MJE13009 is a transistor with a TO-220 package. It has three pins - the collector (C), base (B), and emitter (E). The collector is connected to the positive power supply, the emitter is connected to ground, and the base is used to control the flow of current between the collector and emitter. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJE13009 is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier specializing in power management and precision applications. -
Application Field
The MJE13009 is a high-voltage, high-speed NPN transistor commonly used in power supply circuits, switch mode power supplies (SMPS), inverters, and high-frequency applications. It is specifically designed for applications requiring high collector-emitter voltage and current capabilities. -
Package
The MJE13009 chip is a power transistor available in a TO-220AB package. It features a through-hole form with a size of 10.67mm x 4.57mm.
Datenblatt PDF
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