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NXP MRFE6P3300HR3
Trans RF FET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R
Marken: NXP
Herstellerteil #: MRFE6P3300HR3
Datenblatt: MRFE6P3300HR3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: NI-860C3
Produktart: RF MOSFET Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMMRFE6P3300HR3 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Technology: | Si | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 66 V |
| Minimum Operating Temperature: | - 65 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | NI-860C3 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement | Configuration: | Single Dual Drain Dual Gate |
| Height: | 5.69 mm | Length: | 34.16 mm |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | MRFE6P3300H |
| Factory Pack Quantity: | 250 | Subcategory: | MOSFETs |
| Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 500 mV, 12 V |
| Width: | 10.31 mm | Part # Aliases: | 935309635128 |
| Unit Weight: | 0.223087 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MRFE6P3300HR3 is a high-power RF power transistor designed for use in industrial, scientific, and medical (ISM) applications. It operates at 3300 MHz with a power output of up to 300W and features high efficiency and reliability. This chip is commonly used in RF heating, plasma processing, and high-power amplifiers.
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Equivalent
The equivalent products of the MRFE6P3300HR3 chip are the MRF6VP3300H and the MRF6VP3300HR6, which are also LDMOS transistors designed for high-power applications in the 1.8-600 MHz frequency range. These chips have similar specifications and performance characteristics to the MRFE6P3300HR3. -
Features
The MRFE6P3300HR3 is a high-power RF transistor designed for 300W pulsed applications in frequencies up to 3300 MHz. It features superior ruggedness, high gain, and low distortion, making it ideal for use in high-power RF applications such as radar systems and communication equipment. -
Pinout
The MRFE6P3300HR3 is a High Power RF LDMOS transistor with a pin count of 4. It has the following functions: Pin 1: Gate, Pin 2: Drain, Pin 3: Source, Pin 4: Source. It is designed for high power applications in the HF, VHF, and UHF frequencies. -
Manufacturer
The MRFE6P3300HR3 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer specializing in a wide range of products for the automotive, industrial, mobile, and communication sectors. NXP Semiconductors is known for producing high-performance RF power transistors, including the MRFE6P3300HR3 for RF applications. -
Application Field
The MRFE6P3300HR3 is primarily used in high-power RF amplifier applications, such as in telecommunications, radar systems, and industrial heating processes. It is commonly found in high-frequency and high-power amplification systems that require efficient and reliable performance. -
Package
The MRFE6P3300HR3 chip is a RF power transistor packaged in a NI-1230H-4S form with 4 leads. It has a size of 10.7 x 14.2 x 3.92 mm.
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