NXP MRF9030LR1
RF MOSFET Transistors 30W RF PWR FET NI-360L
Marken: NXP Semiconductor
Herstellerteil #: MRF9030LR1
Datenblatt: MRF9030LR1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: NI-360-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3988 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1 | $3,094 | $3,094 |
200 | $1,235 | $247,000 |
500 | $1,193 | $596,500 |
1000 | $1,173 | $1173,000 |
In Stock:3988 PCS
MRF9030LR1 Allgemeine Beschreibung
RF, MOSFET, N-CH, 945MHZ, 30W, NI360; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: 100µA; Power Dissipation Pd: 92W; No. of Pins: 2Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Power Dissipation Max: 92W; Transistor
Funktionen
- Operating frequency range of 860 to 960 MHz
- High gain and efficiency
- 30 W output power
- Designed for use in Class AB and Class C amplifiers
- Suitable for use in a range of applications, including wireless communication systems, broadcasting, and radar systems.
Anwendung
- BLF6G22LS-160B
- BLY93B
- MRF9030LR5
- MRFE6VP61K25H
- SD2933
- STAC2942B-3
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Mount | Screw | Number of Pins | 360 |
Weight | 2.937804 g | Drain to Source Breakdown Voltage | 65 V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V | Element Configuration | Single |
Frequency | 945 MHz | Gain | 19 dB |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 15 V | Max Frequency | 1 GHz |
Max Operating Temperature | 200 °C | Max Power Dissipation | 92 W |
Min Operating Temperature | -65 °C | Number of Elements | 1 |
Output Power | 30 W | Power Dissipation | 92 W |
Test Current | 250 mA | Test Voltage | 26 V |
Voltage Rating | 68 V |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. | |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
Schritt1 :Produkt
-
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
Schritt5 :Verpackungskartons
-
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The MRF9030LR1 is a power amplifier chip designed for use in high-power applications, such as in mobile radios and base stations. It operates in the frequency range of 920-960 MHz and offers high efficiency and low distortion. The chip is suitable for both narrowband and broadband systems, making it a versatile option for a variety of RF communication needs.
-
Equivalent
The equivalent products of MRF9030LR1 chip are Freescale MRF9030LR1 and NXP Semiconductors MRF9030LR1. These chips are compatible and can be used as alternatives to the MRF9030LR1 for RF power amplification applications in the same frequency range. -
Features
1. Designed for mobile radio applications 2. High power gain and efficiency 3. Operates in the 860-960 MHz frequency range 4. Excellent linearity and thermal stability 5. Provides 30 watts of output power 6. Suitable for use in FM, TDMA, and CDMA applications. -
Pinout
The MRF9030LR1 is a power amplifier transistor with a pin count of 4. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, pin 3 is the source, and pin 4 is the gate. Its function is to amplify RF signals in the 800-1000 MHz frequency range. -
Manufacturer
The MRF9030LR1 is manufactured by NXP Semiconductors, a global semiconductor manufacturer specializing in secure connectivity solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. NXP Semiconductors is known for its high-performance, energy-efficient products and technologies that power everyday devices and enable innovative applications in the Internet of Things (IoT) and mobile communication. -
Application Field
The MRF9030LR1 is a high-frequency RF power transistor suitable for applications in the industrial, scientific, medical (ISM) band, as well as radar and weather radar systems. It is commonly used in pulsed power and narrowband amplifiers operating in the 902-928 MHz frequency range. -
Package
The MRF9030LR1 is a package type of SOIC-12 form factor. The size of the chip is 3.9mm x 6mm.
Datenblatt PDF
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte