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NXP MRF9030LR1 48HRS

RF MOSFET Transistors 30W RF PWR FET NI-360L

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: NXP Semiconductor

Herstellerteil #: MRF9030LR1

Datenblatt: MRF9030LR1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: NI-360-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3988 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $3,094 $3,094
200 $1,235 $247,000
500 $1,193 $596,500
1000 $1,173 $1173,000

In Stock:3988 PCS

- +

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MRF9030LR1 Allgemeine Beschreibung

RF, MOSFET, N-CH, 945MHZ, 30W, NI360; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: 100µA; Power Dissipation Pd: 92W; No. of Pins: 2Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Power Dissipation Max: 92W; Transistor

mrf9030lr1

Funktionen

  • Operating frequency range of 860 to 960 MHz
  • High gain and efficiency
  • 30 W output power
  • Designed for use in Class AB and Class C amplifiers
  • Suitable for use in a range of applications, including wireless communication systems, broadcasting, and radar systems.

Anwendung

  • BLF6G22LS-160B
  • BLY93B
  • MRF9030LR5
  • MRFE6VP61K25H
  • SD2933
  • STAC2942B-3

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Mount Screw Number of Pins 360
Weight 2.937804 g Drain to Source Breakdown Voltage 65 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 65 V Element Configuration Single
Frequency 945 MHz Gain 19 dB
Gate to Source Voltage (Vgs) 15 V Max Frequency 1 GHz
Max Operating Temperature 200 °C Max Power Dissipation 92 W
Min Operating Temperature -65 °C Number of Elements 1
Output Power 30 W Power Dissipation 92 W
Test Current 250 mA Test Voltage 26 V
Voltage Rating 68 V

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MRF9030LR1 is a power amplifier chip designed for use in high-power applications, such as in mobile radios and base stations. It operates in the frequency range of 920-960 MHz and offers high efficiency and low distortion. The chip is suitable for both narrowband and broadband systems, making it a versatile option for a variety of RF communication needs.
  • Equivalent

    The equivalent products of MRF9030LR1 chip are Freescale MRF9030LR1 and NXP Semiconductors MRF9030LR1. These chips are compatible and can be used as alternatives to the MRF9030LR1 for RF power amplification applications in the same frequency range.
  • Features

    1. Designed for mobile radio applications 2. High power gain and efficiency 3. Operates in the 860-960 MHz frequency range 4. Excellent linearity and thermal stability 5. Provides 30 watts of output power 6. Suitable for use in FM, TDMA, and CDMA applications.
  • Pinout

    The MRF9030LR1 is a power amplifier transistor with a pin count of 4. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, pin 3 is the source, and pin 4 is the gate. Its function is to amplify RF signals in the 800-1000 MHz frequency range.
  • Manufacturer

    The MRF9030LR1 is manufactured by NXP Semiconductors, a global semiconductor manufacturer specializing in secure connectivity solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. NXP Semiconductors is known for its high-performance, energy-efficient products and technologies that power everyday devices and enable innovative applications in the Internet of Things (IoT) and mobile communication.
  • Application Field

    The MRF9030LR1 is a high-frequency RF power transistor suitable for applications in the industrial, scientific, medical (ISM) band, as well as radar and weather radar systems. It is commonly used in pulsed power and narrowband amplifiers operating in the 902-928 MHz frequency range.
  • Package

    The MRF9030LR1 is a package type of SOIC-12 form factor. The size of the chip is 3.9mm x 6mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation MRF9030LR1 PDF Herunterladen

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