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NXP BFG425W
RF Bipolar Transistors NPN 25 GHz wideband transistor
Marken: NXP Semiconductor
Herstellerteil #: BFG425W
Datenblatt: BFG425W Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-343
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3780 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMBFG425W Allgemeine Beschreibung
BFG425W is a high-frequency transistor that belongs to the NPN type and is designed for use in applications up to 6 GHz. Here are some of its features:
Funktionen
- Collector-emitter voltage of 20V
- Collector current of 60mA
- Power dissipation of 200mW
- Maximum frequency of 6GHz
- Noise figure of 2.5dB at 1GHz
Anwendung
- RF amplification in cellular phones and other wireless communication devices
- Oscillators and mixers in microwave circuits
- Satellite and terrestrial radio communications
- Cable modems and wireless LANs
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Transferred |
| Ihs Manufacturer | PHILIPS SEMICONDUCTORS | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | Collector Current-Max (IC) | 0.03 A |
| Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 50 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.135 W |
| Surface Mount | YES |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den BFG425W Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : BFG425WX
Marken :
Paket :
Beschreibung : This is a variant of BFG425W with higher power dissipation.
Artikelnummer : BFG540W
Marken :
Paket : SOT143
Beschreibung : NPN 9 GHz wideband transistor
Artikelnummer : MMBFJ310LT1G
Marken :
Paket : SOT-23-3
Beschreibung : JFET Transistor, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET
Teilpunkte
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The BFG425W chip is a high-power, high-frequency transistor commonly used in wireless communication applications. It is designed to handle high RF power levels, making it suitable for use in power amplifiers. With its compact size and excellent thermal performance, the BFG425W chip is widely used in cell phones, Wi-Fi devices, and other wireless communication equipment.
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Features
The BFG425W is a light emitting diode (LED) lamp that operates at a maximum power of 425 watts. It has a high color rendering index (CRI) and a cool white color temperature. It is energy-efficient and long-lasting, making it suitable for a variety of lighting applications. -
Pinout
The BFG425W is a transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. Its function is to amplify electrical signals, making it suitable for use in high-frequency and low-noise amplification applications. -
Application Field
The BFG425W is a high-performance NPN silicon RF transistor commonly used in various applications such as mobile communication equipment, wireless infrastructure, and terrestrial broadcasting. Its excellent frequency range (up to 5 GHz) and power handling capability make it suitable for a wide range of wireless communication systems and RF power amplifiers. -
Package
The BFG425W chip is available in a SOT343 package type, featuring a single form and a compact size.
Datenblatt PDF
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