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BSS127S-7
SOT-23 Mosfet with 1.08nC and 1.25W power rating
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: BSS127S-7
Datenblatt: BSS127S-7 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.581 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,077 | $0,385 |
| 50 | $0,068 | $3,400 |
| 150 | $0,063 | $9,450 |
| 500 | $0,052 | $26,000 |
| 3000 | $0,049 | $147,000 |
| 6000 | $0,048 | $288,000 |
Auf Lager: 7.581 Stck
BSS127S-7 Allgemeine Beschreibung
With a drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 50mA, the BSS127S-7 N-channel MOSFET is a reliable component for power management applications. The transistor features a low on-resistance of 80ohm and a threshold voltage of 4.5V, ensuring optimal performance in various circuit designs. Packaged in a SOT-23 case style with 3 pins, the BSS127S-7 is easy to integrate and mount on PCBs. Operating at a maximum temperature of 150°C, this MOSFET has a power dissipation of 610mW, making it suitable for high-power applications
Funktionen
- Low Input Capacitance
- High BVDSS Rating for Power Application
- Low Input/Output Leakage
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 70 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 160 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W | Channel Mode | Enhancement |
| Series | BSS127 | Brand | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single | Fall Time | 168 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 7.2 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 28.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSS127S-7 is a small-signal N-channel MOSFET transistor with a low threshold voltage, making it suitable for use in low-voltage applications. It offers a high switching speed and low on-state resistance, making it ideal for power management and switching circuits in mobile devices, consumer electronics, and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSS127S-7 chip include the DMN3070LSS-13, 2N7002DW-7, and FDC642PZ. These chips are all N-channel enhancement mode field-effect transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The BSS127S-7 is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor. It has a high drain-source voltage rating of 100V, low threshold voltage of 1V, and low on-resistance of 4.5 ohms. It is suitable for power management applications requiring high efficiency and reliability. -
Pinout
The BSS127S-7 is a surface-mount N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a pin count of 3. It is commonly used as a high-speed switching device in various electronic circuits. The three pins are the source (S), gate (G), and drain (D). -
Manufacturer
The manufacturer of BSS127S-7 is Toshiba Semiconductor & Storage, a global leader in the development and manufacturing of semiconductor devices. Toshiba Semiconductor & Storage is a multinational electronic and electrical equipment company specializing in a wide range of products, including memory, microcontrollers, power transistors, sensors, and optoelectronic devices. -
Application Field
BSS127S-7 is a silicon N-channel enhancement mode field-effect transistor primarily used in applications such as switching and amplification in low voltage systems, power management, LED lighting, and motor control. Its compact size, low on-state resistance, and high current carrying capability make it suitable for various portable, battery-operated devices. -
Package
The BSS127S-7 chip comes in a SOT-23 package, is in a surface-mount form, and has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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