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BSS138-7-F 48HRS

The BSS138-7-F is a N Channel MOSFET capable of a Continuous Drain Current of 200mA and a Source Voltage rating of 50V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Diodes Incorporated

Herstellerteil #: BSS138-7-F

Datenblatt: BSS138-7-F Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
20 $0,019 $0,380
200 $0,017 $3,400
600 $0,015 $9,000
3000 $0,014 $42,000
9000 $0,013 $117,000
21000 $0,013 $273,000

Auf Lager: 9.458 Stck

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BSS138-7-F Allgemeine Beschreibung

The BSS138-7-F is a small signal N-channel MOSFET transistor designed for use in low voltage applications. It has a maximum drain-source voltage of 50V and a continuous drain current of 200mA, making it suitable for a wide range of circuits requiring small signal amplification or switching.This MOSFET transistor has a low on-resistance of 2.5 ohms, enabling efficient current flow with minimal power loss. It also features a low gate threshold voltage of 1.5V, making it compatible with low voltage control circuits.The BSS138-7-F comes in a surface mount package with three leads, providing easy installation on circuit boards. Its small size and lightweight design make it ideal for compact electronic devices where space is limited.

Funktionen

  • Low threshold voltage of 0.6V
  • Continuous drain current of 200mA
  • Low ON resistance of 3.5 Ohms
  • Small outline SOT-23 surface mount package
  • Fast switching speed for efficient performance
  • High reliability and rugged construction

Anwendung

  • Small signal switching
  • Power management
  • Battery management
  • Signal amplification
  • Low noise amplifier

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Id - Continuous Drain Current 200 mA Rds On - Drain-Source Resistance 3.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 500 mV
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 300 mW Channel Mode Enhancement
Series BSS138 Brand Diodes Incorporated
Configuration Single Forward Transconductance - Min 100 mS
Height 1 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 20 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 1.3 mm
Unit Weight 0.000282 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSS138-7-F is a small signal N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by ON Semiconductor. It is commonly used for switching and amplification in low voltage applications, such as in mobile devices, power management circuits, and LED drivers. With a low threshold voltage and high input impedance, the BSS138-7-F offers high performance in a compact package.
  • Equivalent

    Some equivalent products of BSS138-7-F chip are 2N7002, DMN2W002, and DMN2022UFB4. These are all N-channel enhancement mode field-effect transistors (FETs) with similar electrical characteristics and applications.
  • Features

    1. N-channel MOSFET transistor 2. SOT-23 surface mount package 3. Voltage rating of 50V 4. Continuous drain current of 240 mA 5. Low on-resistance of 2.5 ohms 6. Fast switching speeds for efficient operation in small signal applications.
  • Pinout

    BSS138-7-F is a N-channel MOSFET with a pin count of 3. The function of this MOSFET is to control the flow of current between the drain and source pins when a voltage is applied to the gate pin. It is commonly used in low-voltage switching applications.
  • Manufacturer

    BSS138-7-F is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions for a variety of industries including automotive, communications, consumer, and industrial. The company specializes in producing power and signal management, logic, discrete, and custom devices to help customers design innovative electronic products.
  • Application Field

    BSS138-7-F is commonly used in applications such as switching circuits, low-power amplification, and signal processing. It is suitable for use in portable electronics, consumer devices, and automotive applications due to its low threshold voltage, high input impedance, and low ON-state resistance.
  • Package

    The BSS138-7-F chip is in a SOT-23 package type, surface mount form, and has a size dimension of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.

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