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vishay SI2325DS-T1-GE3 48HRS

P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: VISHAY

Herstellerteil #: SI2325DS-T1-GE3

Datenblatt: SI2325DS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23

RoHS-Status:

Lagerzustand: 21.000 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Menge Einzelpreis Ext. Preis
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10 $0,306 $3,060
30 $0,286 $8,580
100 $0,262 $26,200
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SI2325DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

SI2325DS-T1-GE3
SI2325DS-T1-GE3
SI2325DS-T1-GE3

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
Id - Continuous Drain Current 530 mA Rds On - Drain-Source Resistance 1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V
Qg - Gate Charge 7.7 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 750 mW
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 11 ns
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 11 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 16 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-GE3

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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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Teilpunkte

  • SI2325DS-T1-GE3 is a chip that belongs to the MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) family. It is designed to provide efficient power management and control in various electronic devices. The chip's features include low on-resistance, fast switching speed, and low capacitance. It can be used in applications such as power supplies, motor control, and battery charging to enhance performance and energy efficiency.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the SI2325DS-T1-GE3 chip are the SI2304DS-T1-GE3, SI2323DS-T1-GE3, and SI2343DS-T1-GE3 chips.
  • Features

    The SI2325DS-T1-GE3 is a 2.5V N-Channel power MOSFET. It features low on-resistance, high current handling capability, and low gate drive requirements. It is designed for use in power management applications, such as battery chargers, DC-DC converters, and power supplies.
  • Pinout

    The SI2325DS-T1-GE3 is an N-channel MOSFET with a 6-pin count. The function of this device is to act as a switch or amplifier in electronic circuits, commonly used in power management applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI2325DS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a multinational company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. They offer a wide range of products including power MOSFETs, diodes, rectifiers, and optoelectronic components.
  • Application Field

    The SI2325DS-T1-GE3 is a high-performance MOSFET transistor suitable for a variety of applications including power management, low voltage switching, and battery charging circuits. With its low on-state resistance and small package size, it is commonly used in portable devices, consumer electronics, and automotive applications.
  • Package

    The SI2325DS-T1-GE3 chip has a package type of SOT-23, a compact form with three pins, and a small size of 2.94mm x 1.3mm x 1.1mm.

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