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$5000vishay SI2325DS-T1-GE3
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Marken: VISHAY
Herstellerteil #: SI2325DS-T1-GE3
Datenblatt: SI2325DS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23
RoHS-Status:
Lagerzustand: 21.000 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,353 | $0,353 |
10 | $0,306 | $3,060 |
30 | $0,286 | $8,580 |
100 | $0,262 | $26,200 |
500 | $0,249 | $124,500 |
1000 | $0,243 | $243,000 |
Auf Lager: 21.000 Stck
SI2325DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
Id - Continuous Drain Current | 530 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
Qg - Gate Charge | 7.7 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 750 mW |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 11 ns |
Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 11 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Width | 1.6 mm |
Part # Aliases | SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-GE3 |
Versand
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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SI2325DS-T1-GE3 is a chip that belongs to the MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) family. It is designed to provide efficient power management and control in various electronic devices. The chip's features include low on-resistance, fast switching speed, and low capacitance. It can be used in applications such as power supplies, motor control, and battery charging to enhance performance and energy efficiency.
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Equivalent
Some equivalent products of the SI2325DS-T1-GE3 chip are the SI2304DS-T1-GE3, SI2323DS-T1-GE3, and SI2343DS-T1-GE3 chips. -
Features
The SI2325DS-T1-GE3 is a 2.5V N-Channel power MOSFET. It features low on-resistance, high current handling capability, and low gate drive requirements. It is designed for use in power management applications, such as battery chargers, DC-DC converters, and power supplies. -
Pinout
The SI2325DS-T1-GE3 is an N-channel MOSFET with a 6-pin count. The function of this device is to act as a switch or amplifier in electronic circuits, commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2325DS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a multinational company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. They offer a wide range of products including power MOSFETs, diodes, rectifiers, and optoelectronic components. -
Application Field
The SI2325DS-T1-GE3 is a high-performance MOSFET transistor suitable for a variety of applications including power management, low voltage switching, and battery charging circuits. With its low on-state resistance and small package size, it is commonly used in portable devices, consumer electronics, and automotive applications. -
Package
The SI2325DS-T1-GE3 chip has a package type of SOT-23, a compact form with three pins, and a small size of 2.94mm x 1.3mm x 1.1mm.
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