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vishay SI2305CDS-T1-GE3
Ideal for Amplification and Switching Applications
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI2305CDS-T1-GE3
Datenblatt: SI2305CDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,085 | $0,425 |
| 50 | $0,074 | $3,700 |
| 150 | $0,069 | $10,350 |
| 500 | $0,062 | $31,000 |
| 3000 | $0,059 | $177,000 |
| 6000 | $0,057 | $342,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
SI2305CDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
The SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET stands out for its impressive performance characteristics, including a continuous drain current of -5.8A and a drain-source voltage of -8V. With an on resistance of 28mohm and a maximum power dissipation of 960mW, this P-channel transistor operates reliably in temperatures ranging from -55°C to +150°C. The SOT-23 package style, with 3 pins, offers a compact and efficient design for a wide range of applications. Despite not containing any SVHC, this transistor can handle a maximum voltage of 8V, making it suitable for demanding circuit requirements
Funktionen
Anwendung
Load Switch for Portable Devices |DC/DC ConverterSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 12 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
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Teilpunkte
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SI2305CDS-T1-GE3 is a chip that belongs to the NVM N-Channel MOSFET family. It is designed with a standard ON resistance of 0.046 ohms and a maximum drain current of 3 A. The chip offers enhanced performance and reliability for power management applications, providing efficient power handling capabilities.
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Equivalent
Some equivalent products to the SI2305CDS-T1-GE3 chip are the SI2305BDS-T1-GE3, SI2305DDS-T1-GE3, and SI2305EDS-T1-GE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable alternatives for the SI2305CDS-T1-GE3. -
Features
The SI2305CDS-T1-GE3 is a small-signal MOSFET transistor with a low on-resistance and low threshold voltage. It has a compact SOT-23 surface-mount package and is suitable for a wide range of applications such as switching, amplification, and voltage regulation. -
Pinout
The SI2305CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions include Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2305CDS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, an American semiconductor company. -
Application Field
The SI2305CDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor (FET) that is commonly used in applications such as low voltage switching, power management, and amplification circuits. It is suitable for use in various electronic devices like smartphones, tablets, and portable electronics due to its compact size and low power consumption. -
Package
The SI2305CDS-T1-GE3 chip is packaged in a SOT-23 form factor. The SOT-23 package has three pins and small dimensions of approximately 2.94mm x 1.30mm x 1.30mm.
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