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vishay SQ2361EES-T1-GE3

60V Automotive P-Channel MOSFET (D-S) with 175°C Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SQ2361EES-T1-GE3

Datenblatt: SQ2361EES-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-236-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SQ2361EES-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

The SQ2361EES-T1-GE3 is a high-performance P-channel MOSFET designed for use in a variety of electronic applications. With a drain source voltage of -60V and a continuous drain current of -2.5A, this transistor offers reliable and efficient operation. The on resistance Rds(on) of 0.115ohm at a test voltage Vgs of -10V ensures minimal power loss and heat dissipation. Featuring a compact SOT-23 case style and 3 pins, the SQ2361EES-T1-GE3 is easy to integrate into circuit designs. Moreover, this MOSFET can operate in a wide temperature range from -55°C to 175°C and meets MSL 1 - Unlimited moisture sensitivity requirements, making it suitable for use in harsh environmental conditions

Funktionen

  • Soft Start Function
  • Zero Cross Detection

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Qualification AEC-Q101
Tradename TrenchFET Series SQ
Brand Vishay / Siliconix Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Part # Aliases SQ2361EES-GE3

Versand

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  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SQ2361EES-T1-GE3 is a chip that belongs to the SQ series. It is designed for various applications, including power management and signal conditioning. This chip incorporates advanced technology and features to improve performance and efficiency. With its compact size and low power consumption, it is a versatile and reliable option for electronic devices.
  • Features

    The SQ2361EES-T1-GE3 is a high-performance power MOSFET. It features a maximum drain-source voltage of 200V, a continuous drain current of 13A, and a low on-resistance of 85mΩ. With its compact package and advanced technology, it provides efficient power management solutions for various applications.
  • Pinout

    The SQ2361EES-T1-GE3 is a dual n-channel MOSFET power transistor. It has 8 pins and the function of the pins is as follows: 1. Gate 1 2. Source 1 3. Drain 1 4. Source 2 5. Gate 2 6. Drain 2 7. No connection 8. No connection
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SQ2361EES-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in the development, manufacturing, and marketing of power, analog, digital, mixed-signal, and optoelectronic semiconductors.
  • Application Field

    The SQ2361EES-T1-GE3 is a power MOSFET that can be used in various applications such as power management in notebook computers, DC-DC converters, LCD TVs, battery chargers, and other portable electronics devices.
  • Package

    The SQ2361EES-T1-GE3 chip has a package type of SOT-563, a form of Surface Mount, and a size of 1.6mm x 1mm.

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