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IRF510PBF
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Marken: Vishay Siliconix
Herstellerteil #: IRF510PBF
Datenblatt: IRF510PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.543 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,400 | $0,400 |
| 10 | $0,355 | $3,550 |
| 50 | $0,305 | $15,250 |
| 100 | $0,282 | $28,200 |
| 500 | $0,269 | $134,500 |
| 1000 | $0,261 | $261,000 |
Auf Lager: 9.543 Stck
IRF510PBF Allgemeine Beschreibung
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Funktionen
- Fully tested and qualified
- Rapid switching response time
- Ease of thermal management possible
- Pulse width modulation compatible
- Safe operating temperature range
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The IRF510PBF is a power MOSFET transistor designed for high-power switching applications. It has a voltage rating of 100V and can handle a continuous current of up to 5.6A. This chip is commonly used in amplifiers, motor control circuits, and voltage regulators due to its high switching speed and low on-resistance.
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Equivalent
The equivalent products of IRF510PBF chip are IRF520, IRF610, IRF530, IRF540, and IRF640. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the IRF510PBF in various applications. -
Features
- N-Channel Power MOSFET - 5.6A continuous drain current - 100V drain-source voltage - Low ON resistance of 0.54 ohm - TO-220 packaging - Suitable for power supply circuits, motor control, and other high voltage applications. -
Pinout
The IRF510PBF is a power MOSFET with a TO-220AB package, typically featuring 3 pins: gate, drain, and source. It is commonly used in power amplifier applications due to its high power handling capacity and low on-resistance. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRF510PBF is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies AG is a German semiconductor manufacturer that produces a wide range of products for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-quality and innovative semiconductor solutions used in power electronics, sensors, and security applications. -
Application Field
The IRF510PBF is commonly used in power supply applications, motor control systems, relay drivers, and audio amplifiers due to its high input impedance and low on-resistance characteristics. It is also used in RF applications, such as HF amateur radio amplifiers, and in high-frequency switching circuits due to its fast switching capability. -
Package
The IRF510PBF chip is a TO-220AB package type, with a through-hole form. Its size measures 10.67mm x 4.7mm x 9.0mm (L x W x H). It is a power MOSFET transistor utilized in various electronic applications for its high-speed switching capabilities and low on-resistance properties.
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