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$5000IRG4BC30KDPBF
N-CH 600V 28A 100W Trans IGBT Chip 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IRG4BC30KDPBF
Datenblatt: IRG4BC30KDPBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single IGBTs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.555 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRG4BC30KDPBF Allgemeine Beschreibung
Additionally, the IRG4BC30KDPBF features built-in short circuit and overcurrent protection, ensuring its ruggedness and reliability even in harsh operating conditions. With a maximum junction temperature of 150°C, this IGBT can deliver consistent performance even in high temperature environments. Whether you're looking for a reliable solution for your motor control system or a robust component for your power inverter, the IRG4BC30KDPBF is the perfect choice to meet your high-power application needs
Funktionen
- High current handling for heavy loads
- Low voltage drop for minimal energy loss
- Suitable for motor control and power supply systems
- Reliability for consistent performance
Anwendung
- Fast switching speed for power supplies
- Suitable for renewable energy inverters
- High voltage capability for reliability
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.88 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 28 A |
| Pd - Power Dissipation | 100 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current Ic Max | 28 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Height | 8.77 mm | Length | 10.54 mm |
| Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | IGBTs | Width | 4.69 mm |
| Part # Aliases | SP001532644 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRG4BC30KDPBF is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip commonly used in power electronic applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 23A. The chip is designed to switch high voltages and currents with minimal loss and can be applied in motor control, inverters, and power supplies.
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Equivalent
Some potential equivalent products of the IRG4BC30KDPBF chip are the IRG4BC30K, IRG4BC30S, and IRG4BC30F. These are all insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with similar specifications and features, making them suitable alternatives for various applications in power electronics. -
Features
The IRG4BC30KDPBF is a 600V insulated gate bipolar transistor (IGBT) that features a fast switching speed, low saturation voltage, and a high current rating of 31A. It is designed for use in high power applications such as motor control and power converters. -
Pinout
The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a pin count of 3. Its pins include the collector (C), emitter (E), and gate (G). The IGBT is commonly used in power electronic systems and its function is to switch or amplify electrical signals. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRG4BC30KDPBF is Infineon Technologies. It is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon Technologies serves a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IRG4BC30KDPBF is a high voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) that is commonly used in applications such as motor drives, power supplies, and renewable energy systems. It is designed to handle high current and voltage levels, making it suitable for high-power applications. -
Package
The IRG4BC30KDPBF chip comes in a TO-220AB package type, a D2Pak (TO-263) form, and has a small size suitable for electronic applications.
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