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IRF8313PBF
IRF8313PBF 30V 9.7A 15.5mΩ@10V,9.7A 2W 2.35V@25uA
Marken: IR
Herstellerteil #: IRF8313PBF
Datenblatt: IRF8313PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOP8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 60 Stück, Neues Original
Produktart: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,645 | $0,645 |
| 10 | $0,529 | $5,290 |
| 30 | $0,469 | $14,070 |
| 95 | $0,411 | $39,045 |
| 475 | $0,377 | $179,075 |
| 1045 | $0,359 | $375,155 |
Auf Lager: 60 Stck
IRF8313PBF Allgemeine Beschreibung
Featuring two elements in a compact MS-012AA package, this transistor offers high reliability and performance in a small footprint. Its metal-oxide semiconductor design ensures high switching speeds and low power losses, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9.7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 21.6 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Qg - Gate Charge | 6 nC |
| Pd - Power Dissipation | 2 W | Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Dual | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 95 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Width | 3.9 mm |
| Part # Aliases | SP001570694 |
Versand
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRF8313PBF is a power MOSFET transistor chip designed for switching applications with high efficiency and fast switching speeds. It has a low on-resistance and can handle high current loads, making it suitable for power management in various electronic devices.
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Equivalent
Equivalent products to the IRF8313PBF chip include the IRF4905PBF, IRF4905SPBF, IRF9Z34NPBF, and IRF7105PBF. These chips are all power MOSFET transistors designed for high current applications in power supplies, motor controls, and other electronic devices. -
Features
The IRF8313PBF is a 30V N-channel power MOSFET with a low on-state resistance of 5.4mΩ, making it ideal for high-efficiency power management applications. It has a compact TO-220 package, a 12A continuous drain current, and a 50A pulsed drain current. It is suitable for use in switching regulators, DC-DC converters, and power management circuits. -
Pinout
The IRF8313PBF is a MOSFET transistor with a pin count of 6. Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. Pin 4, 5, and 6 are internally connected and serve as the drain connection. -
Manufacturer
The IRF8313PBF is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a leading global provider of semiconductor solutions for automotive, industrial, communication, and digital security applications. They specialize in power semiconductors, digital security solutions, and sensors for smart home and connected devices. -
Application Field
The IRF8313PBF is a P-channel power MOSFET commonly used in various applications such as power management, battery protection, load switching, and DC-DC converter circuits. It is suitable for use in portable electronics, motor control, automotive, industrial, and consumer electronics applications due to its high efficiency and low on-state resistance. -
Package
The IRF8313PBF chip is a surface mount package, specifically a Dual N-Channel Power MOSFET. It comes in a form of a transistor with two channels. The size of the chip is standard for surface mount components, commonly around 3.3mm x 3.3mm.
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